发布时间：2019-10-24

硅基真空沉积系统已具备招标条件，项目招标人为中国科学院上海技术物理研究所，资金为国拨，出资比例为100%，资金已落实。北京国科军友工程咨询有限公司（招标机构）受中国科学院上海技术物理研究所（招标人）的委托，现对该项目进行国际公开招标。

1.招标产品的名称、数量及主要技术参数

1.1货物需求一览表

1.2主要技术参数：

*3.1.1 IV族分子束外延生长室(主生长室)： 生长高质量的硅锗基阻挡杂质带结构材料（如硅掺杂砷、硅掺杂镓等。包括Si, Ge, Sn, As, Ga, B, P等各种源炉，真空泵系统，四极质谱仪，原位监控系统（RHEED系统等），和计算机控制系统（全自动生长）。

*3.1.2传样和预处理室，进样室。由于本实验系统包含分子束外延腔和若干在线分析系统。需要有统一的真空传样系统， 该系统同时具有不同预处理功能（如热处理，表面钝化处理）。

*3.1.3生长室有超高真空， 具体为系统烘烤后降到室温，未通液氮时，生长室真空 5x10-11 torr，预处理室真空度可达到2x10-10 torr；进样室30分钟内可从1 atm抽到10-7 torr，最后可达到2*10-8 torr（烘烤后）

*3.1.4 衬底加热器最高温度可达800°C，700°C控温精度达到±0.5°C。源炉束流稳定、可重复。显示数值稳定，末位数涨落〈±1；挡板开启时束流波动〈2％。

*3.1.5 IV分子束外延系统，生长高质量硅锗基掺杂材料，及锗硅，锗锡等材料。用于制备3英寸材料。

1.3招标编号：1473-194356H07238。

2.对投标人的资格要求

2.1投标人应为独立的法人机构，能够独立承担民事责任，具有有效的营业执照或有效的公司注册登记证明材料。

2.2投标人如为代理商，需提供最近时期制造商出具的授权证明。

2.3投标人须提供其开户银行在开标日期前三个月内开具的资信证明原件或该原件的复印件。

2.4本项目不接受联合体投标。

2.5投标人必须向招标机构购买招标文件并进行登记才具有投标资格。

3.招标文件获取

3.1凡有意参加投标者，请于2019年10月25日至2019年11月1日（法定公休日、法定节假日除外），每日上午09时至11时，下午02时至04时（北京时间，下同）购买招标文件。

3.2 招标文件售价：每包1000元人民币或150美元（招标文件售后不退）。

3.3 购买招标文件地点：北京市海淀区中关村南大街31号8号楼二层210室。

3.4 可于发售期内，通过电话或邮件联系招标代理机构咨询购买标书事宜。

4.投标文件的递交

4.1 投标文件递交的截止时间（投标截止时间，下同）为2019年11月14日09时00分，地点为上海市玉田路500号15号楼111会议室。

4.2 逾期送达的或者未送达指定地点的投标文件，招标人不予受理。

5.开标

5.1 开标时间为2019年11月14日09时00分，开标地点为上海市玉田路500号15号楼111会议室。

6.发布公告的媒介

本次招标公告在中国国际招标网、机电产品招标投标电子交易平台、中国招标投标公共服务平台（http://www.cebpubservice.com/）上发布。

7.监督部门

中国科学院上海技术物理研究所纪检监察审计办公室

8.联系方式