宽带隙纳米薄膜制备用复合CVD　　招标公告
一、项目名称：宽带隙纳米薄膜制备用复合CVD

二、招标编号：*******

三、招标人：苏州大学实验室与设备管理处

地址：江苏省苏州市东环路50号凌云楼1012室

邮编：215021　　　　　　 传真：****-********

联系人：罗老师 　　 　 电话：****-********，********

电子邮箱：lrb998@suda.edu.cn

技术联系人：曹老师　　 电话：****-******** 138*****450

电子邮箱：bcao2006@163.com

四、招标货物品名、数量、主要性能参数基本要求以及相关技术联系人

第一包：宽带隙纳米薄膜制备用复合CVD 　　1台

（一）主要配置：

本设备用于制备特定纳米结构半导体薄膜，包括石墨烯薄膜、BN薄膜、GaN薄膜以及AlN薄膜，为针对特别膜系材料生长的定制设备。为此，要求设备特定结构如下：

设备采用一机双反应室系统，即两个反应腔室共用一套控制柜和气路系统。一个反应腔室专用于石墨烯成长，采用石英管式结构，中频感应加热；另外一个反应腔室专用于GaN基半导体光电子材料生长，采用完全MOCVD结构形式，不锈钢腔体，电阻加热；内置基座加热（Suspector）为石墨舟，能保证一次生长2英寸GaN基外延片一片。

具体技术细节请务必提前与技术联系人联系沟通。

（二）技术指标要求：

1、石英腔体部分：

1.1腔体尺寸：石英腔体(GE)Φ160x700mm；

1.2加热温度： 室温～1600℃，可控可调；

1.3.加热形式：中频感应加热；

1.4.样品可旋转（0-60rpm，可控可调）；

1.5.气路系统：质量流量控制器15台（进口）；

1.6.数字式流量显示仪（一带四）3台，具有计算机联网接口，联网形成闭环控制；

1.7.系统真空度：极限真空5×10-4Pa；

1.8.计算机及其控制软件，PLC可编程电脑智能控制系统软硬件1套；

1.9.尾气水域（溶液）处理装置1套；

1.10.气路加热系统1套；

1.11.实验用气源及源瓶全套。

2、金属不锈钢腔体部分：（以下为腔体可扩展使用指标）

2.1高真空反应沉积室，极限真空度优于：5Pa；

2.2.反应沉积室尺寸：φ200×300mm；

2.3.样品台尺寸为φ50mm，可旋转（速率0～60rpm连续可调）；

2.4样品加热温度：室温～1200℃，控温精度±1℃；

2.5沉积室压力调节范围：10～1000mba，精度±1%；

2.6配气气路压力调节范围：10～1000mba，控制精度±1%；

2.7配气气路温度控制范围：25℃～200℃，控温精度±1℃；

2.8工作气体为五路，其中5路为有机源，气态源为3路 ；

2.9气路采用进口内抛光管道、气动阀、VCR接头，漏率小于5×10-9Pa?L/s；

2.10实验用气源及源瓶全套。

五、货物交货期、交货地点、付款方式、安装、调试及验收以及售后服务等相关商务要求，按照《苏州大学公开招标采购仪器设备投标人须知》第22条中的要求执行。

六、招标文件价格：标书每份人民币500元（可投标时交纳），售后不退。

七、投标截止时间：2011年12 月29日8:30 。各投标人在投标前，须认真阅读《苏州大学公开招标采购仪器设备投标人须知》和本招标公告，完全了解并接受其所有条款及要求。并在截止时间之前将投标文件一式5份（其中正本1份，副本4份）送达招标人处。

八、开标时间：2011 年12 月29日8:45。

九、未尽事宜，按《苏州大学公开招标采购仪器设备投标人须知》中的相关条款执行