关于某学校采购实验室设备的技术参数公示

各潜在供应商：

河南省科教仪器设备招标有限公司受某学校的委托，拟对实验室设备进行招标采购，现将设备的技术参数及要求上网公示，请各潜在供应商对是否针对某一品牌、是否有明显的排他性等内容提出有关意见。

所有意见应于2012年2月27日下午17：00（北京时间）前以书面形式（注明联系人、联系电话并加盖单位公章）递交至河南省科教仪器设备招标有限公司，逾期不予受理。

联系人：焦先生

电话/传真：0371 – ********

河南省科教仪器设备招标有限公司

2012年2月24日

技术参数如下：

等离子体溅射镀膜机系统

该系统能够沉积单层、多层薄膜。相对于传统镀膜设备和同类产品，在操作、功能多样性和标准溅射技术上有很大提高。该系统是根据客户需求，个性化定制产品。

一、 能够在3mm厚度和100mm直径的尺度范围的单圆片基板上镀膜。

二、 能够实现6个75mm直径圆靶共沉积单层镀层，沉积厚度达6mm。靶材可以是单一元 素、合金、混合元素或者化合物，还包括铁磁性物质。

三、通过在适度的真空和混合气体作用下，利用反应溅射可以沉积氧化物、氮化物和氮氧介电层、压电涂层。允许通过快速沉积与靶材成分相等的介电涂层。

四、该系统由以下部分组成：

1. 真空腔和附属系统基底真空<10-6 mbar

2. *真空腔体关联的等离子体源，能在超过80%的靶材表面产生密度达到1013 cm-3的等离子。

3. 真空室内置可选择的、多靶固定点。

4. 真空腔体内置基片台。

5. 配真空泵、阀体、接头、管道、操作控制和检测器、真空计和安全系统。

6. 全部系统实现计算机控制

五、*该系统采用物理气相沉积技术，但是与一般物理气相沉积有明显区别：采用 (PQL)独有技术，用于溅射的真空等离子体是由等离子源产生的。

1. *沉积速率高，基板不升温。

2. 薄膜制备稳定性和重复性高。

3. *与塑料和有机物等低温材料高度兼容。

4. 制备的薄膜具有低应力、致密、和高粘着力。

5. 消除层间结，提高结合力。

6. 无需后处理，获得高性能涂层

7. 独有多组分薄膜的沉积技术

8. *铁磁性薄膜从复杂磁性化合物靶材（>6mm）上，快速沉积，， 重复性、稳定性高。

9. 沉积低价态氧化物，能达到高速，高重复性。

10. 凡是磁控溅射、平面二极管溅射、 PECVD和蒸镀溅射不能够沉积的薄膜，在该系统内均能沉积。

11. *在100mm直径、3mm厚的基板上沉积膜，厚度误差±3.0%，平整度±1.0%。

六、系统组成：

腔体

1. *客户定制金属框架，支撑真空溅射系统，装配有“HiTUS”等离子源。多个75mm溅射靶台。

2. 所有逻辑操作和系统操作均有电脑控制， 避免系统误差和人为失误。

3. 所有有隐患的地方内置安全锁，避免误操作。

4. 真空室材质：非磁性不锈钢和铝合金，尺寸约500mm3，前置操作门。

5. 两个侧置 ISO160法兰（其中一个连接等离子体源）。

6. 两个顶置和底置法兰。用来装靶材和基板 （ISO 400）

7. 1个后泵法兰，用来装真空泵。

8. 一个前置观察窗和镀膜开关

9. 多点真空计和真空口。（客户定制）

高密度等离子源

“HiTUS” 等离子源和等离子体磁控装置, 能够在80%靶面产生1013 cm-3

基板台

1. *旋转样品台能够放置3mm厚，100mm直径的单个基板；

2. *能够控制均匀加热4英寸直径的基板到450℃，

3. 双法兰设计，保证基板在腔体内最大水平移动，用于优化沉积速率和均匀性

4. 给水水冷

靶材

1. *六个单独、水冷、75mm直径、6mm厚溅射靶，装有自动的靶材索引。

2. 每个靶，与等离子源连用，工作功率2kW(最大10KV)，

3. 超快换靶速率

4. *靶材表面利用率超过>80%

5. 与磁性靶和非磁性靶材兼容，无需改进。

6. 支持多种材质靶，如合金、化合物，用于共沉积。

7. 维护简单。

气 口

1. 系统配置有两个质量流控制器控制的供气口，配备单独阀门，用于制备过程的氧气和氩气等气体。质量流控制器，根据客户自定义设计，用氩气为200sccm ，第二种气体为100sccm。

2. 系统排气用单独的氮气口。? ?

真空计

1. 真空计能够测从大气压到高压(1 bar to <1x10-6 mbar)，一个潘宁高真空计，另一个是初抽低真空计。

2. 电容压力真空计用于控制腔体内压力 (范围 <5x10-4 到 5x10-2 mbar)。

真空泵

1. 前级泵抽速1000 l/s (N2)和分子泵或低温泵用于高真空；

2. 一昼夜达到<1x10-6 mbar。

3. 两小时内真空达到<2x10-5mbar。

电 源

1. 等离子源配13.56MHz 射频电源, 最低输出功率2.5kW。

2. 溅射靶偏压用直流脉冲电源，5kW输出功率。

3. 另一个靶用13.56 MHz 射频电源和射频阻抗匹配装置，3.5 kW输出功率。

4. 等离子源电磁体用两个直流电源，额定功率3kW (16v 200Amp)

七、基本功能

1.*抽真空和样品制备均是在自动控制条件下完成；内置硬件锁，确保系统安全和避免误操作。

2.系统提供沉积与靶材相同物质的薄膜或经改性的靶材材质的薄膜。一般可以采用以下近乎独立的处理参数：

射频电源操作从0.5kW 到 2.0kW

? 溅射偏压100 到 800V (负)

? 处理压力从1x10-3 mbar 到 1x10-2 mbar

3.*使用75mm元素靶或者合金靶，沉积100mm厚基板获得厚度误差为（±3%）的薄膜时，使用以下参数：

? *金属镀膜速率: 10 – 30nm/min

? *反应性介电涂层镀膜速率：5 – 25nm/min

功能控制和操作

系统功能基于软件操作，通过全触摸屏实现。通过软件实现：

1. 抽真空和沉积过程全部通过前面板处理。

2. 沉积过程中，真空系统管理、控制和检测。

3. 系统出现意外和不安全操作时候的关闭和安全系统的处理。

4. 针对提高系统性能和系统问题分析的远程协助和操作?