设备名称

技术参数

数量

气相色谱质谱联用仪Z14151

1.GC柱温箱

结构 双喷射冷却系统

降温速度 450℃降到50℃时间不超过4分钟

2. 离子源

离子化法 EI（标准配置）

离子化电压 10 ～ 200eV

发射电流 5 ～ 250μA

灯丝 双灯丝

离子源温度 140℃ ～ 260℃

3.分析检测部

质量范围 m/z 1.5 ～ 1000

质量分析器 配备预置杆的高精度金属钼四极杆

SIM方式 64通道 x 128 组、支持SCAN/SIM同时扫描

分辨率 R≧2M（FWHM)

稳定性 ±0.1u/48时间 (恒温)

MS接口 50℃ ～ 350℃

4. 检测器

检测器单元 二次电子倍增管,配备专利偏转透镜（Overdrive Lens）和10kV转换打拿极

检测器 离轴连续打拿电子倍增器

动态范围 8 x 106

5．真空系统

主泵 单泵系统（80L/sec、HiPace）

辅泵 30升/分（60Hz）油旋转泵

真空规 皮拉尼真空规

柱流量 He、最大流量4mL/min

6. 扫描速度

最大扫描速度需达到 10,000u/sec

7. 灵敏度

EI Scan模式：S/N ＞ 200 (rms) 1pg 八氟萘OFN m/z 272

8.配件：

毛细管色谱柱 30m×0.25mm×0.25um

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芯片划片机Z13748

1、采用进口空气压缩主轴，主轴最大主轴转速不小于40000rpm；

2、X轴有效行程不小于160mm；

3、Y轴有效行程不小于160mm；单步步进量不大于0.003mm；

4、Z轴有效行程不小于20mm，重复定位精度小大于0.001mm；

5、θ轴最大旋转角度不小于320mm；

6、对准系统放大倍数不小于200倍，彩色CCD监视对准系统，配备环形和同轴光源

7、最大加工元件尺寸不小于圆片6英寸，配备适合6英寸以下样品规格切割的专用卡具。

8、按照用户需求配软刀盘2个以上；

9、能用于碳化硅晶圆的切割，要求招标单位提供碳化硅材料切割的试验报告，包括必须的试验条件以及切割后电镜照片，要求崩边尺寸小于30微米；

10、）配置划片机所必须的空气、水、风等设备的接口配件，包括压缩空气接口配件、主轴冷却水接口配件、切削冷却水接口配件等；配置真空自动排水装置；

11、配置视窗操作系统，实现对划片机操作的人机界面和视窗控制、故障检测和报警显示；

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磁增强反应离子刻蚀机Z14125

1、刻蚀装置组成：

反应室主机1台 ，

分子泵机组1套(包括110升/秒分子泵1台和配套机械泵1台)。

射频电源1部，带匹配器，功率为10--500瓦可调。

真空计一套；4个质量流量计、4个流量显示器；1个定时器（可在0 - 99分59秒之间任意设定辉光时间）

2、刻蚀装置的功能和指标：

1）可刻蚀光刻胶、Si02、SixNy、多晶硅等（4英寸晶圆或小片）；

2）刻蚀时间可预设定，自动控制刻蚀时间；

3）采用4路质量流量计控制气体流量；腐蚀气体气路4路，

4）有反应离子刻蚀和磁增强反应离子刻蚀两种模式。

5）上盖加有易拆卸的电极板，便于洁净处理；有观察窗口；

6）载片台为150mm直径的圆盘，可放置4英寸直径的Si片和小片。

7）刻蚀均匀性误差￡±5%（4英寸内）,（以4英寸硅片上光刻胶刻率验收，

计算方法：按国际惯例，即均匀性误差=±（dmax-dmin）/2d0×100% 。其中，dmax 为测量的最大深度；dmin为测量的最小深度；d0为测量的平均深度）

3、真空度 ：5分钟内真空抽至 ￡ 0.5 Pa ；抽5分钟即可通气进行刻蚀。

4、免费提供刻蚀工艺咨询。

5、备品备件清单：机械泵橡皮圈等备件、分子泵原厂备件、观察窗玻璃、规管、机械泵附件

6、随机附件

循环冷水机 ：提供设备所需的冷却水，满足设备所需冷量要求。

尾气处理装置 ：可处理刻蚀过程中产生的含氟尾气。

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