品牌

台积电（TSMC）

型号

0.18um CMOS

生产厂商

台积电（中国）有限公司

产地信息

中国

技术规格及参数

1.流片的最小面积为2mm*2mm以下。2.招标人提供mpw的FSR信息和芯片的gds数据后10天内出具完好的裸die。3.顶层金属厚度：32.5kA。4.加工完成后，需提供至少100个芯片。 5.采用180纳米BCD工艺。6.电路核心的电压为1.2伏。7.高压器件支持3.3伏。8.总共需要9层金属可供走线。9.单位面积的电容值至少为2fF/um2。10.需提供选择的器件信息如下表：器件类型 器件名称 端口数目MOS Pch 4MOS pch_18 4MOS pch_hvt 4MOS pch_lvt 4MOS Nch 4MOS nch_na 4MOS nch_na18 4MOS nch_18 4MOS nch_hvt 4MOS nch_lvt 4MOS nch_dnw 4MOS nch_18_dnw 4MOS nch_hvt_dnw 4MOS nch_lvt_dnw 4MOS Pchx 4MOS pch_hvtx 4MOS pch_lvtx 4MOS Nchx 4MOS nch_hvtx 4MOS nch_lvtx 4MOS nch_18x 4MOS nch_nax 4MOS nch_na18x 4MOS nch_dnwx 4MOS nch_hvt_dnwx 4MOS nch_lvt_dnwx 4MOS nch_18_dnwx 4MOS pch_18x 4BJT BJT22 3BJT BJT55 3BJT BJT1010 3BJT BJT_NPN_22 3BJT BJT_NPN_55 3BJT BJT_NPN_1010 3BJT BJT22_MIS 3BJT BJT55_MIS 3BJT BJT1010_MIS 3BJT BJT_NPN_22_MIS 3BJT BJT_NPN_55_MIS 3BJT BJT_NPN_1010_MIS 3BJT Npn 3BJT npn_mis 3BJT Pnp 3BJT pnp_mis 3Diode Ndio 2Diode ndio_18 2Diode ndio_na 2Diode ndio_na18 2Diode Nwdio 2Diode Pdio 2Diode ndio_hvt 2Diode ndio_lvt 2Diode pdio_hvt 2Diode pdio_lvt 2Diode Dnwpsub 2Diode Pwdnw 2Diode ndio_esd 2Diode dnw_3t_diode 2RES rm1 2RES rm2 2RES rm3 2RES rm4 2RES rm5 2RES rm6 2RES rm7 2RES rm8 2RES rm9 2RES rm10 2RES Rppoly 2RES Rnpoly 2RES Rppolywo 2RES Rnpolywo 2RES Rnod 2RES Rpdo 2RES Rnodwo 2RES Rpodwo 2 RES Rnwod 2RES Rnwsti 2RES rnod_m 3RES rpod_m 3RES rnodwo_m 3RES rpodwo_m 3RES rnwod_m 3RES rppoly_m 3RES rppoly_m 3RES rppolywo_m 3RES rnpolywo_m 3RES rnwsti_m 3RES rnod_mx 3RES rpod_mx 3RES rnodwo_mx 3RES rpodwo_mx 3RES rnwod_mx 3RES rnwsti_mx 3RES rppolywo_mx 3RES rnpolywo_mx 3RES rppoly_mx 3RES rnpoly_mx 3VAR Nmoscap 2VAR nmoscap_18 2CAP Mimcap 2CAP mimcap_3t 3CAP Crtmom 3CAP crtmom_mx 5CAP mimcap_udc 2CAP mimcap_duc_3t 3

售后及质保要求

1.项目工期：招标人提供mpw的FSR信息和芯片的gds数据后30天内完成流片到货。2.项目质保期：本项目要求并承诺提供【一】年免费7×24小时的技术支持服务，售后服务期自验收合格之日开始计算。3.验收交付要求：中标人按照招标人的设计进行流片，流片后的芯片经过招标人测试，出具测试结果完成验收。