AlN单晶生长温度场(GY202201176)自购结果公示

AlN单晶生长温度场(GY202201176)自购结果公示

AlN单晶生长温度场(GY*********)自购结果公示
发布时间:2022-04-17

该项目经自行采购程序,允许自购:

供应商: 苏州涌真光电科技有限公司
中标金额: ******
公示开始日期2022-04-17公示截止日期2022-04-18 14:21:32
采购单位新一代半导体材料研究院付款方式预付款30%,发货前支付出厂验收款30%,调试完毕验收合格后支付35%,质保金5%,乙方向甲方开具全额增值税专用发票(13%)
签约时间要求到货时间要求
收货地址山东大学新一代半导体材料研究院
采购清单1
采购物品采购数量计量单位
AlN单晶生长温度场1
品牌苏州涌真光电科技有限公司规格型号H180-120
技术参数该设备电阻式加热最高温度可达2300 ℃以上,真空度:≤5×10-4 Pa 。双温区加热,分成两个钨网加热,下钨网加热器φ180×180(H)mm,上钨网加热器φ180×120(H)mm。通过调节单个钨网加热功率调节内部热场,保温层采用钨、钼屏蔽结构,上屏、中屏固定在炉腔内壁上;下屏固定在底部小盖上。三路热电偶温度,上下红外测温温差。
售后服务服务网点:不限;质保期限:1年;响应期限:报修后8小时;


资产与实验室管理部


2022-04-17


联系人:郝工
电话:010-68960698
邮箱:1049263697@qq.com

标签: 单晶 温度

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