[HF20221018]电容负载式薄膜铌酸锂芯片委托加工成交公告
[HF20221018]电容负载式薄膜铌酸锂芯片委托加工成交公告
1.项目名称：电容负载式薄膜铌酸锂芯片委托加工
2.成交供应商名称：武汉润智泰科技有限公司
3.成交供应商地址：武汉市洪山区珞喻路727号光谷银座A座1802
4.成交金额(人民币)：19.4万元
5.付款方式：合同签订之后5个工作日内预付总金额的30%，服务完成且验收合格后5日内付总金额的70%。
6.主要成交标的：
序号 | 服务内容 | 服务期限 |
1 | 开展基于电容负载型行波电极的超宽带光电子芯片相关工艺的开发和芯片的制备，具体包括： （1）薄膜铌酸锂材料上的DUV光刻工艺； （2）高精度加厚金电极的电镀工艺； （3）金属薄膜的蚀刻工艺； （4）芯片的划切和抛光工艺。 该项目由我方提供晶圆和芯片设计版图，具体要求如下： 完成上述四种工艺的开发调试，并完成不少于10片光电子芯片的制备打样，芯片最小加工线宽小于等于300nm，金电极厚度超过2微米且侧壁陡直，芯片抛光后表面及侧壁粗糙度均方根小于等于3nm。 | 合同签订后3个月内完成 |
华中科技大学武汉光电国家研究中心
2022年05月31日
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