科技创新研究院硅片采购项目二次竞价成交公告

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科技创新研究院硅片采购项目二次竞价成交公告

东莞理工学院采用网上竞价方式开展的科技创新研究院（科技创新与先进制造研究中心）硅片采购项目(二次)竞价，项目编号：ZB**********-01，报价截止时间为2024-01-18 16:00:00。现将本项目竞价结果公布如下： 一、项目编号：ZB**********-01二、项目名称：科技创新研究院硅片采购项目(二次)竞价三、项目预算：******元四、成交信息供应商名称：北京核泰科技发展有限公成交金额：******元，保修一年。五、竞价成交规则在满足用户需求的前提下，按“价低者得”原则确定成交供应商。报价相同的，按参数最优者确定；报价相同且参数相同的，按报价时间先后顺序确定。六、竞价供应商报价明细及总报价
序号：1供应商名称：北京核泰科技发展有限公司总价：******元报价时间：2024-01-16 11:49:12
序号名称品牌/型号数量(单位)单价(元)应标技术参数
1硅片RVM100/片19301.Number of required wafers: 100 2.Substrate: RVM Supplied Wafers 3.Diameter: 4\" - 100mm 4.Material: Silicon 5.Type/Dopant: P/Boron 6.Orientation: (100) 7.Resistivity: 1-20 ohm-cm 8.Thickness: 300 +/-25um 9.Double Side Polished 10.Perform the Following Film Stack on both side of wafer 1) Std. Pre Process Clean 2) Grow Wet Thermal Oxide -Film Thickness: 2,000A +/- 5% -Side Processed: Both side 3) Deposit Low Stress LPCVD Nitride -Film Stress: <250 MPa Tensile -Ref Index: 2.20 +/- .05 @ 632.8nm -Film Thickness: 2um +/- 5% -Side Processed: Both side（参数中文翻译如下： 所需晶圆数量：100片 衬底： RVM工厂供应的晶片 直径：4寸晶圆（直径100mm） 材料：硅 半导体类型/掺杂元素: P型硅/Boron 晶向：（100） 电阻率：1-20欧姆-厘米 厚度：300 +/-25um 双面抛光 在晶圆的正反面叠加制备以下薄膜： 1) 前道标准双面清洁工艺 2) 湿热氧化法制备双面SiO2薄膜 -薄膜厚度：2000A+/-5% 3) LPCVD工艺制备双面SiNx薄膜， -薄膜应力： <250 MPa -折射率： 2.20 +/- .05 @ 632.8nm -薄膜厚度：2um +/- 5%
七、公告期限自本公告发布之日起1个工作日。八、合同签订成交供应商应在竞价成交公告发布之日起3个工作日内，按照竞价成交公告确定的品牌、型号、技术服务指标、价格、数量、交货期限等事项，参照校方合同模板与采购人协商合同事宜。九、其他补充事宜无十、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：陈老师地 址：东莞市松山湖大学路1号东莞理工学院联系方式：187*****3282.项目联系方式项目联系人：钟老师电 话：0769-********、0769-********

联系人：郝工
电话：010-68960698
邮箱：1049263697@qq.com

标签: 硅片

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