华电院采购共聚焦射频磁控溅射系统
华电院采购共聚焦射频磁控溅射系统
采购单位：华南师范大学 | 联系人：****** |
E-mail：****** | 联系电话：****** |
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邮编：****** | 平台联系电话（异议）：****** |
| 项目名称： 华电院采购共聚焦射频磁控溅射系统 | 竞价编号：JJ240*****323834 |
采购类型：货物类 | 开始时间：2024-06-21 09:32:00 |
项目预算(元)：228,000.00 | 结束时间：2024-06-24 09:32:00 |
质保期及售后要求：产品整机免费保修期不少于1年，需提供加盖制造商公章的售后服务承诺函编入响应文件。承诺设备投入使用后，若仪器发生问题，对相关的技术问题能在24小时内及时进行响应，供方可通过电话、传真、邮件等形式及时进行指导加以排除；若通过电话、传真、邮件等在1个工作日内仍不能解决问题，供方工程师应在其后48小时内赶到需方现场进行检修；若发生现场不能解决的问题，供方可将仪器（或故障部件）带回国内办事处进行处理，处理时间最长不超过15个工作日。质保期内，供方为检修仪器发生的所有费用由供方承担。质保期后，若仪器发生故障，供方可按相关定额标准收取相关服务费及材料费。若需方能将仪器邮寄到供方国内办事处进行修理，供方只收取相应的材料费。 | |
其他要求：无 |
| 资格及商务响应情况 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 项目 | 竞价要求 | 响应情况 | |||||
| 资格条件 | 原厂或者原厂授权。 | 原厂 | |||||
| 付款方式 | 签订合同后预付合同款的30%，验收合格后付剩下的70%。 | 签订合同后预付合同款的30%，验收合格后付剩下的70%。 | |||||
| 交付时间 | 签订合同后7天送货 | 签订合同后 签订合同后60日送货。 天送货。 | |||||
| 交付地址 | 广东省广州市番禺区华南师范大学大学城校区理5栋 | ||||||
| 质保期及售后要求 | 产品整机免费保修期不少于1年，需提供加盖制造商公章的售后服务承诺函编入响应文件。承诺设备投入使用后，若仪器发生问题，对相关的技术问题能在24小时内及时进行响应，供方可通过电话、传真、邮件等形式及时进行指导加以排除；若通过电话、传真、邮件等在1个工作日内仍不能解决问题，供方工程师应在其后48小时内赶到需方现场进行检修；若发生现场不能解决的问题，供方可将仪器（或故障部件）带回国内办事处进行处理，处理时间最长不超过15个工作日。质保期内，供方为检修仪器发生的所有费用由供方承担。质保期后，若仪器发生故障，供方可按相关定额标准收取相关服务费及材料费。若需方能将仪器邮寄到供方国内办事处进行修理，供方只收取相应的材料费。 | 产品整机免费保修期2年，已提供加盖制造商公章的售后服务承诺函编入响应文件。承诺设备投入使用后，若仪器发生问题，对相关的技术问题能在2小时内及时进行响应，供方可通过电话、传真、邮件等形式及时进行指导加以排除；若通过电话、传真、邮件等在1个工作日内仍不能解决问题，供方工程师在其后48小时内赶到需方现场进行检修；若发生现场不能解决的问题，供方可将仪器（或故障部件）返厂进行处理，处理时间最长不超过15个工作日。质保期内，供方为检修仪器发生的所有费用由供方承担。质保期后，若仪器发生故障，供方可按相关定额标准收取相关服务费及材料费。若需方能将仪器邮寄到供方国内工厂进行修理，供方只收取相应的材料费。 | |||||
| 其他要求： | 无 | 无 | |||||
| 报价情况 | |||||||
| 标的名称 | 品牌/型号 | 数量 | 响应情况 | 单价（元/%） | |||
| 共聚焦射频磁控溅射系统 | 微纳真空/VJC-300 Pro | 1.00 | 微纳真空/VJC-300 Pro | ******.000元 | |||
| 总报价 | ******.000 元 | ||||||
| 技术响应 | |||||||
| 标的名称 | 技术要求 | 响应情况 | |||||
| 共聚焦射频磁控溅射系统 | 1.真空腔室：净空间尺寸不大于Φ450 ×H450 mm，要求前开门，前门需配备观察窗，观察窗玻璃尺寸不小于Φ9 5mm，配至少一套方便拆卸的防污隔板；腔室、法兰、管道、防污隔板等均采用304无磁不锈钢材质；2.真空系统：主泵分子泵抽速不小于2000 m3/ h，前级泵抽速不小于30 m3/ h，全量程数显复合真空计量程：1×105～1×10-5Pa； 3. ★真空极限：优于2.3 ×10-7 Torr；4.抽速：抽至4.0 ×10-6 Torr≤ 15 min；5.基片台：根据客户要求定制的基片台，最大可处理基片不小于4英寸，基片台配一体式全尺寸挡板，挡板开合需要磁流体密封；基片台旋转：旋转速度0-25转/分连续可调，基片台旋转需要磁流体密封；基片台加热：PID智能温控表，控温范围室温～400 °C；6. ★溅射靶及电源：不少于2只圆形平面靶，靶面尺寸不小于φ60 mm，可调整角度不小于±50 °，可单靶轮流/双靶聚焦共溅射；直流电源不少于1台，要求可切换恒压，恒流，恒功率控制模式，电源功率可以预先设置；射频电源1台，频率13.56 MHz，要求自动匹配；7.靶挡板：靶上有气动水平打开式挡板，角度与靶倾斜角度同步可调，要求磁流体密封；8.速率和膜厚监控：采用膜厚监控仪在线监控溅射速率和膜厚，1只水冷探头；膜厚仪速率显示分辨率±0.1 ā/s，厚度显示分辨率±1ā；9.气路系统：不少于两路工艺气体MF C控制，量程范围需满足工艺制备金属、金属氧化物的需要；10.操控系统：PL C+触摸屏手自一体操控系统，真空系统的控制分为手动和自动二种模式，自动模式下，根据腔内压强自动执行相关泵，阀的启闭；可远程监控，软件使用期限：永久有效；11.辅件配置：冷却循环水机1台，制冷量不小于1P； | 1.真空腔室：净空间尺寸Φ300×H400mm（小于Φ450×H450mm），前开门，前门配备观察窗，观察窗玻璃尺寸Φ99mm（大于Φ95mm），配一套方便拆卸的防污隔板；腔室、法兰、管道、防污隔板等均采用304无磁不锈钢材质； 2.真空系统：主泵分子泵抽速600L/s（即2160m3/h，大于2000m3/h），前级泵抽速9L/s（即32.4m3/h，大于30m3/h），全量程数显复合真空计量程：1×105～1×10-5Pa； 3.★真空极限：优于3.0×10-5Pa（2.3×10-7Torr）； 4.抽速：抽至5.0×10-4Pa（4.0×10-6Torr）≤20min； 5.基片台：根据客户要求定制的基片台，最大可处理基片不小于4英寸，基片台配一体式全尺寸挡板，挡板开合磁流体密封；基片台旋转：旋转速度0-25转/分连续可调，基片台旋转磁流体密封；基片台加热：PID智能温控表，控温范围室温～400℃； 6.★溅射靶及电源：2只圆形平面靶，靶面尺寸φ60mm，可调整角度±50°，可单靶轮流/双靶聚焦共溅射；直流电源1台，可切换恒压，恒流，恒功率控制模式，电源功率可以预先设置；射频电源1台，频率13.56MHz，自动匹配； 7.靶挡板：靶上有气动水平打开式挡板，角度与靶倾斜角度同步可调，磁流体密封； 8.速率和膜厚监控：采用膜厚监控仪在线监控溅射速率和膜厚，1只水冷探头；膜厚仪速率显示分辨率±0.1ā/s，厚度显示分辨率±1ā； 9.气路系统：两路工艺气体MFC 控制，量程范围0～50SCCM（Ar）\0～30SCCM（O2）满足工艺制备金属、金属氧化物的需要； 10.操控系统：PLC+触摸屏手自一体操控系统，真空系统的控制分为手动和自动二种模式，自动模式下，根据腔内压强自动执行相关泵，阀的启闭；可远程监控，软件使用期限：永久有效； 11.辅件配置：冷却循环水机1台，制冷量1P； | |||||
| 附件 |
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