定制无源SOI芯片中标结果
定制无源SOI芯片中标结果
| 申购单基本信息： | |||
| 单据编号 | ********00022 | 设备类型 | 其它 |
| 竞价名称 | 定制无源SOI芯片 | ||
| 币种 | 是否公开信息 | 否 | |
| 截标时间 | 2016-07-16 00:00 | 收货时间 | 2016-08-16 |
| 收货地点 | 华中科技大学南五楼 430074 ssrfl | ||
| 竞价描述( 备注) | 定制无源SOI芯片，上硅层厚度220nm 包层：二氧化硅 工作波长：C波段 耦合损耗：和单模光纤 耦合损耗<5dB 工作电压：<10V | ||
| 附件 | |||
| 成交金额 | 52,500 | ||
| 申购单中标商信息： | |||
| 标单编号 | jb********00026 | 竞标公司名称 | 武汉市艾玻睿光电科技有限公司 |
| 竞标时间 | 2016-07-15 11:29:42 | 竞标人 | 周娟 |
| 竞标说明 | 老师，您好，我们投标产品指标: 上硅层厚度：220nm 包层：二氧化硅 工作波长：C波段 耦合损耗：和单模光纤耦合损耗<5dB 工作电压：<10V | ||
| 用户选择理由 | 价格合理，要求符合。 | ||
| 申购单设备信息： | |||
| 设备名称 | 设备型号 | 设备规格 | 数量 |
| 定制无源SOI芯片 | |||
标签: 芯片
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