薄膜铌酸锂调制器芯片流片成交公告
薄膜铌酸锂调制器芯片流片成交公告
1.项目名称：薄膜铌酸锂调制器芯片流片
2.成交供应商名称：武汉安湃光电有限公司
3.成交供应商地址：湖北省武汉市江夏区庙山光电子信息产业园3-2-1号
4.成交金额(币种)：19.000万元
5.付款方式：服务完成且验收合格后15个工作日内付100%合同款。
6.主要成交标的：
| 序号 | 服务内容 | 服务期限 |
| 1 | 完成不少于10片调制器芯片的制备打样，芯片最小加工线宽小于等于100nm，金电极厚度超过1微米且侧壁陡直，芯片抛光后表面及侧壁粗糙度均方根小于等于3nm。 | 合同签订后2个月内 |
华中科技大学武汉光电国家研究中心
2024年09月25日
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