基于国产GaAs工艺毫米波变频技术验证项目科研急需采购成交公告

招 标 正 文
 

基于国产GaAs工艺毫米波变频技术验证项目科研急需采购成交公告

一、项目编号：KYJX**********

二、项目名称： 基于国产GaAs工艺毫米波变频技术验证

三、成交信息：

供应商名称： 深圳市晶准通信技术有限公司

成交金额： 73万元

四、主要标的信息

服务名称 服务范围 服务要求 服务时间 服务标准
基于国产GaAs工艺毫米波变频技术验证 应用于5G/6G通信的毫米波MMICs芯片 1、研究内容为： 针对毫米波上下变频芯片，采用国产GaAs工艺，完成上下变频及本振链路设计，达成双极化两通道高性能变频目标，并完成流片测试 。
2、乙方接受甲方委托，应向甲方提交的研究成果为：
研究成果1：根据甲方提供的指标，完成GaAs毫米波上下变频芯片详细方案设计，并输出可行性报告（包括电路系统架构、子模块设计说明、设计思路方法、供电方案以及测试方案）；
研究成果2：完成GaAs毫米波上下变频芯片电路原理图及版图设计，提交芯片设计电路原理图及版图（含原理图前后仿真工程文件、前后仿真结果、版图gds文件），并输出设计报告；
研究成果3：完成GaAs毫米波上下变频芯片国产工艺的流片及测试，达成合同附录指标表的指标要求，输出测试报告；提供样片3~5片、包含样片的测试板3~5块。
3、工作计划。为完成本合同委托开发/研究内容，经甲乙双方协商确认，乙方应按如下阶段完成委托工作，并在计划期限内交付每一阶段的项目成果：
第一阶段：合同签订之日起3个月内，完成GaAs毫米波上下变频芯片详细方案设计，输出可行性报告并与甲方进行研讨。
第二阶段：在第一阶段项目成果验收合格后4个月内，完成GaAs毫米波上下变频芯片电路原理图及版图设计，提交设计电路原理图及版图，输出设计报告；在完成原理图设计和版图设计后，均需与甲方进行研讨。
第三阶段：在第二阶段项目成果验收合格后6个月内，完成GaAs毫米波上下变频芯片流片及测试，输出测试报告；提供样片3~5片、包含样片的测试板3~5块；与甲方进行评审验收。
后续阶段：项目成果经甲方书面验收通过后2个月内为甲方项目成果试用时间，在此期间内乙方应根据甲方要求安排不少于1次技术培训，技术交流、技术支持等工作。
4、双方权利与义务
(1)甲方有权随时了解项目进展情况，乙方应当每月底前向甲方提交项目进展的书面或电子月报。
(2)未经甲方书面同意的，乙方不得将本合同项下全部或部分委托开发/研究工作转委托给任何第三人。
(3)乙方利用委托开发费用所购置的设备、器材、资料的所有权归乙方。
(4)乙方保证其用于委托开发所用的任何资料、软件工具等均享有所有权或已取得相关权利人的合法授权。
(5)乙方所提供的技术培训、技术交流和技术支持的形式由双方另行协商确定，由此所产生的费用由乙方自行承担。
5、交付物及验收标准
1、交付物。本合同项目成果交付内容包括：（1）GaAs毫米波上下变频芯片详细设计方案（包括电路系统架构、子模块设计说明、设计思路方法、供电方案以及测试方案）；（2）GaAs毫米波上下变频芯片设计电路原理图及版图（含原理图前后仿真工程文件、前后仿真结果、版图gds文件）；（3）GaAs毫米波上下变频芯片测试报告（包含供电方案及测试方案）、样片3~5片、包含样片的测试板3~5块；
2、验收标准。乙方提交的研究成果及交付物应满足如下标准：
(1) 第一阶段成果验收标准：交付GaAs毫米波上下变频芯片详细方案设计的可行性报告，报告需对附录指标进行分析，确保各个指标的可达性。
(2) 第二阶段成果验收标准：完成GaAs毫米波上下变频芯片电路原理图及版图设计，后仿真指标达成附录指标并输出设计报告。
(3) 第三阶段成果验收标准：完成GaAs毫米波上下变频芯片流片及测试，测试指标达成附录指标标准并输出测试报告。		 2024年8月-2025年9月 技术指标要求
(1) 上变频链路性能指标
a. 射频频率：24.25~29.5GHz
b. gain @ATT=0：<30dB （-40°C~+120°C）
c. OIP3@ATT=0：>30dBm @per tone pout=3~-7dBm，tone space=100MHz
d. OP1dB：>26dBm（-40°C~+120°C）
e. ATT Range/step:31.5/0.5dB
f. phase shift with gain variation:5°@8dB Gain range
g. NF@ATT=0：<12dB
h. 功耗：单通道<1.8W@8dB backoff
i. LO leakage：<-36dBm@2×LO
(2) 下变频链路性能指标
a. 射频频率：24.25~29.5GHz
b. gain @ATT=0：<24dB （-40°C~+120°C）
c. NF：<6dB（-40°C~+120°C）
d. IP1dB：> -6dBm
e. ATT Range/step:31.5/0.5dB
f. phase shift with gain variation:5°@8dB Gain range
g. LO leakage：<-80dBm@1×LO
(3) 中频指标
a. 中频频率范围：3.2~8.6GHz（可分段实现）
b. 支持双通道收发
c. 通道隔离度：>45dB
(4) 芯片的本振输入：
a. LO频率：4.5~6GHz（4倍频）
b. LO频率：9~12GHz（2倍频）
c. LO输入功率：-6~6dBm
(5) 其他性能：
a. 高低温增益波动：小于4dB（max-min）
b. 全频段平坦度(射频平坦度）：<4dB
c. 每800M平坦度（中频平坦度）：<1dB

五、采购过程参与人员：

黄伟 张卫 杨洪强

六、公告期限

自本公告发布之日起1个日历日。

七、其它补充事宜

无

八、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。

采购人信息

名 称：复旦大学

地址：上海市杨浦区邯郸路220号

联系方式：010-********　


*****a******/page.htm" target="_blank">信息来源:http://www.xxgk.fudan.edu.cn/aa/ee/c*****a******/page.htm

联系人：郝工
电话：010-68960698
邮箱：1049263697@qq.com

标签: 变频 工艺

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