铁电3DNAND器件衬底材料成交公告
铁电3DNAND器件衬底材料成交公告
1.项目名称：铁电3D NAND器件衬底材料
2.成交供应商名称：苏州英瑞达半导体有限公司
3.成交供应商地址：中国（江苏）自由贸易区试验区苏州片区苏州工业园区裕新路168号脉山龙大厦二号楼2-103室
4.成交金额(币种)：(人民币)18.800万元
5.付款方式：合同签订后7个工作日之内预付合同金额的30%，货到验收合格后付合同金额70%。
6.主要成交标的：
序号 | （货物）名称 | 型号 | 制造商和产地 | 数量 | 单价(元) | 小计(元) |
1 | 100nm孔径小孔结构氧化硅片 | 4英寸氧化硅片 | 苏州英瑞达半导体有限公司 | 25 | 3200 | |
2 | 200nm孔径小孔结构氧化硅片 | 4英寸氧化硅片 | 苏州英瑞达半导体有限公司 | 30 | 3600 | |
华中科技大学集成电路学院
2024年12月05日
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