4寸D-mode硅基氮化镓外延片号成交结果公告

4寸D-mode硅基氮化镓外延片号成交结果公告


成交供应商:苏州晶湛半导体有限公司

成交金额:******.0

成交理由:无
项目名称 4寸D-mode硅基氮化镓外延片 项目编号 SCUT-HW-JJ********
公告开始日期 173*****41000 公告截止日期 173*****00000
采购单位 华南理工大学招标中心 付款方式 验收合格后双方签字盖章,凭发票 30 天内一次性付清。
联系人 中标后在我参与的项目中查看 联系电话 中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求 成交后3工作日 到货时间要求 签约后20工作日
预 算 ******.0
收货地址 广州市天河区五山路381号华南理工大学五山校区
供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
4寸D-mode外延片 5 矿物材料制品
品牌 Enkris Semiconductor
型号 4寸D-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
品牌2
型号
品牌3
型号
预算 *****.0
技术参数及配置要求 外延叠层:氮化镓(GaN)厚度2nm;氮化镓铝(Al0.25GaN)厚度23nm;氮化铝(AlN)厚度0.8nm;绝缘氮化镓(iGaN) 厚度约530nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底
售后服务 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;
采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
6寸D-mode外延片 5 矿物材料制品
品牌 Enkris Semiconductor
型号 6寸D-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
品牌2
型号
品牌3
型号
预算 *****.0
技术参数及配置要求 外延叠层:氮化镓(GaN)厚度2nm;氮化镓铝(Al0.25GaN)厚度23nm;氮化铝(AlN)厚度0.8nm;绝缘氮化镓(iGaN) 厚度约530nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底
售后服务 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;
采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
6寸E-mode外延片 3 矿物材料制品
品牌 Enkris Semiconductor
型号 6寸E-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
品牌2
型号
品牌3
型号
预算 *****.0
技术参数及配置要求 外延叠层:p型氮化镓(pGaN)厚度80nm;氮化镓铝(Al0.22GaN)厚度15nm;绝缘氮化镓(iGaN)厚度约200nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底
售后服务 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;
采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
4寸E-mode外延片 3 矿物材料制品
品牌 Enkris Semiconductor
型号 4寸E-mode高阻硅基GaN HEMT外延片
品牌2
型号
品牌3
型号
预算 *****.0
技术参数及配置要求 外延叠层:p型氮化镓(pGaN)厚度80nm;氮化镓铝(Al0.22GaN)厚度15nm;绝缘氮化镓(iGaN)厚度约200nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底
售后服务 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;

联系人:郝工
电话:010-68960698
邮箱:1049263697@qq.com

标签: 氮化镓

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