4寸D-mode硅基氮化镓外延片号成交结果公告
4寸D-mode硅基氮化镓外延片号成交结果公告
项目名称 | 4寸D-mode硅基氮化镓外延片 | 项目编号 | SCUT-HW-JJ********号 |
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公告开始日期 | 173*****41000 | 公告截止日期 | 173*****00000 |
采购单位 | 华南理工大学招标中心 | 付款方式 | 验收合格后双方签字盖章,凭发票 30 天内一次性付清。 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后3工作日 | 到货时间要求 | 签约后20工作日 |
预 算 | ******.0 | ||
收货地址 | 广州市天河区五山路381号华南理工大学五山校区 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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4寸D-mode外延片 | 5 | 个 | 矿物材料制品 |
品牌 | Enkris Semiconductor |
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型号 | 4寸D-mode高阻硅基GaN HEMT外延片 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *****.0 |
技术参数及配置要求 | 外延叠层:氮化镓(GaN)厚度2nm;氮化镓铝(Al0.25GaN)厚度23nm;氮化铝(AlN)厚度0.8nm;绝缘氮化镓(iGaN) 厚度约530nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底 |
售后服务 | 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年; |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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6寸D-mode外延片 | 5 | 个 | 矿物材料制品 |
品牌 | Enkris Semiconductor |
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型号 | 6寸D-mode高阻硅基GaN HEMT外延片 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *****.0 |
技术参数及配置要求 | 外延叠层:氮化镓(GaN)厚度2nm;氮化镓铝(Al0.25GaN)厚度23nm;氮化铝(AlN)厚度0.8nm;绝缘氮化镓(iGaN) 厚度约530nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底 |
售后服务 | 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年; |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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6寸E-mode外延片 | 3 | 个 | 矿物材料制品 |
品牌 | Enkris Semiconductor |
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型号 | 6寸E-mode高阻硅基GaN HEMT外延片 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *****.0 |
技术参数及配置要求 | 外延叠层:p型氮化镓(pGaN)厚度80nm;氮化镓铝(Al0.22GaN)厚度15nm;绝缘氮化镓(iGaN)厚度约200nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底 |
售后服务 | 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年; |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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4寸E-mode外延片 | 3 | 个 | 矿物材料制品 |
品牌 | Enkris Semiconductor |
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型号 | 4寸E-mode高阻硅基GaN HEMT外延片 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *****.0 |
技术参数及配置要求 | 外延叠层:p型氮化镓(pGaN)厚度80nm;氮化镓铝(Al0.22GaN)厚度15nm;绝缘氮化镓(iGaN)厚度约200nm;缓冲层厚度1~1.5um;高阻硅衬底 |
售后服务 | 服务网点:不限;电话支持:7x24小时;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年; |
标签: 氮化镓
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