射频微系统样件制造成交结果公告
射频微系统样件制造成交结果公告
项目名称 | 射频微系统样件制造 | 项目编号 | XF-WSBX-******* |
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公告开始日期 | 173*****46000 | 公告截止日期 | 173*****00000 |
采购单位 | 浙江大学 | 付款方式 | 货到付款,甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后7个工作日内 | 到货时间要求 | 无 |
预 算 | ******.0 | ||
收货地址 | 无 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
---|---|---|---|
射频微系统样件制造 | 1 | 项 | 电子、通信与自动控制技术研究服务 |
品牌 | 无 |
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型号 | 无 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | ******.0 |
技术参数及配置要求 | 提供12英寸标准硅晶圆转接板进行射频微系统样件制造,具体技术指标要求如下: 1) 采用硅基板TSV进行芯片的管脚扇出,基板背面BGA植球BGA ball size=0.3 mm,BGA ball pitch=0.6 mm; 2)硅转接板尺寸为10*10mm,转接板内带有直径为30um实心填充的TSV,TSV最小节距:120um; 3)转接板正面RDL层数:1;背面RDL层数:1,最小线宽线距:10um /10um; 4)芯片与转接板间通过wire bond连接,金线线经=25 um(RF pad需要双线), 金线弧高 小于400 um; 5)芯片需要提供上盖帽,同时留出足够腔体保证芯片性能不受影响; 6)根据芯片的测试数据,对两个射频输入输出口做50欧姆的RDL微带线的宽带匹配,微调输入输出特性,使得衰减特性指标有改善。 7)RF TSV设计仿真指标要求:2~18GHz,插损小于0.25dB, 回波损耗小于-25dB。 8) 提供工艺的组件设计仿真指导并提供完成至少2组设计实例,配合客户完成设计仿真报告; 9)提供单个组件的封装服务,组件尺寸最小为10mmx10mm,要求采用硅基板、陶瓷或者塑料管壳进行封装,数量以客户要求为准; 10)提供单个组件的含测试基板、测试夹具,数量为第10技术点要求数量。 11)供应商至少提供1个过往射频转接板的客户案例,合同及测试报告以附件形式上传,敏感信息可隐去。 12)送货地址:浙江省杭州市西湖区浙大路38号智泉大楼。 |
售后服务 | 电话支持:7x24小时;质保期:3年;服务时限:报修后24小时; |
标签: 射频
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