2英寸自支撑半绝缘氮化镓晶片,2英寸自支撑非掺杂氮化镓晶片预中标结果
2英寸自支撑半绝缘氮化镓晶片,2英寸自支撑非掺杂氮化镓晶片预中标结果
| 基本信息： | |
| 申购单主题： | 2英寸自支撑半绝缘氮化镓晶片,2英寸自支撑非掺杂氮化镓晶片 |
| 申购单类型： | 竞价类 |
| 设备类别： | 材料/耗材 |
| 使用币种： | 人民币 |
| 竞价开始时间： | 2018-04-19 14:40 |
| 竞价结束时间： | 2018-04-26 15:00 竞价已结束 |
| 申购备注： | 供应商中标当时或次日须联系用户 |
| 申购设备详情： |
| 中标供应商 | 设备名称 | 数量 | 单位 | 品牌 | 型号 | 是否标配 | 售后服务 | 规格配置 | 中标单价 | 报价说明 | 中标理由 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 苏州纳维科技有限公司 | 2英寸自支撑半绝缘氮化镓晶片 | 10 | 纳维 | GaN-FS-C-SI-C50 | 单晶片尺寸和性能必须符合合同要求。 | 1.尺寸：直径50.8mm±1mm；2.厚度：350±25微米；3.有效面积：>90%；4.晶体取向：C面偏M轴0.35°±0.5°；5.主定位边：16.0±1.0mm；6.次定位边：8.0±1.0mm；7.TTV:≤15微米；8.弯曲度：≤20微米；9.导电类型：半绝缘型；10.电阻率：>1E6欧姆.厘米；11.位错密度：5E5~3E6每平方厘米；12.单面抛光粗糙度：Ra<0.2nm；13.100级超净间环境包装。 | 12000.0 | 总价最低原则 | |||
| 苏州纳维科技有限公司 | 2英寸自支撑非掺杂氮化镓晶片 | 10 | 纳维 | GaN-FS-C-U-C50 | 单晶片尺寸和性能必须符合合同要求。 | 1.尺寸：直径50.8mm±1mm；2.厚度：350±25微米；3.有效面积：>90%；4.晶体取向：C面偏M轴0.35°±0.5°；5.主定位边：16.0±1.0mm；6.次定位边：8.0±1.0mm；7.TTV:≤15微米；8.弯曲度：≤20微米；9.导电类型：N型；10.电阻率：<0.5欧姆.厘米；11.位错密度：5E5~3E6每平方厘米；12.单面抛光粗糙度：Ra<0.2nm；13.100级超净间环境包装。 | 11000.0 | 总价最低原则 |
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