西安电子科技大学-竞价结果详情(CB107012019000043)
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| 基本信息： | |
| 申购单主题： | 原子层沉积系统 |
| 申购单类型： | 竞价类 |
| 设备类别： | 电工、电子专用生产设备 |
| 使用币种： | 人民币 |
| 竞价开始时间： | 2019-03-26 18:20 |
| 竞价结束时间： | 2019-04-02 12:00 竞价已结束 |
| 申购备注： | 预计挂网天数为:3天; |
| 申购设备详情： |
| 中标供应商 | 设备名称 | 数量 | 单位 | 品牌 | 型号 | 是否标配 | 售后服务 | 规格配置 | 中标单价 | 报价说明 | 中标理由 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 西安华波电子科技有限公司 | 原子层沉积系统 | 1 | 江苏迈纳德 | MNT-S | 商品承诺:送货上门/安装调试/技术培训;1）随设备提供高纯度铝源1瓶，并灌装在相应的前驱体源瓶中，可直接使用。2）提供备用配件，质保期1年，软件终身免费升级。; | 1.总体配置要求1)设备需满足洁净室相关要求。2)控制硬件：PLC控制，硬件控制系统须具备1 毫秒 前驱体脉冲时间的精确分辨控制能力，每一前驱体脉冲时间所对应的压强值必须能重复在同一个水平上，保证进入反应腔的前驱体的量精确可控。3)触摸屏人机操作界面。4)设备可用于沉积单一薄膜、纳米叠层与梯度薄膜的沉积和掺杂质等；可在纳米孔洞、台阶等高深宽比的纳米结构上沉积薄膜，具有良好的台阶覆盖性；5)样品上沉积氧化铝薄膜膜厚非均匀性≤±1%。1)可制备的材料：如ITO、FTO、Al2O3、TiO2、HfO2、SiO2、ZnO、Ga2O3等各类金属氧化物薄膜和部分金属单质膜，提供满足以上材料的前躯体材料名称以及满足所制备材料的要求，提供相应材料的工艺菜单。2．技术参数：2)反应腔系统：样品台直径4英寸（100mm），腔高度≥10 mm。可以生长4英寸及以下尺寸样品；样品台加热温度室温至400℃可控，控制精度±1℃；腔体含腔壁补偿加热器，加热温度室温至300℃，控制精度±1℃；腔室本底真空可达到1Pa，满足原子层沉积系统的要求；腔体只需变更腔盖，原系统无需返厂改动即可完成等离子体系统升级；腔体316L不锈钢整体成形，最大限度减少泄漏可能。3)多种沉积模式：可以在不同的基片上沉积薄膜，包括平面基片和高纵深比样品，且可以实现氧化物精确比例掺杂沉积，如可实现制备ITO、FTO等。前驱体源：共4路可加热源（3路液源+1路固态源）,独立载气吹扫系统，独立流量计控制；加热温度室温至200℃，控制精度±1℃；加热源配耐高温(325℃) 世伟洛克（Swagelok）手动阀，阀加热温度室温至200℃可控，阀最小开关时间不大于5毫秒。配备独立的阀加热器及可拆卸式保温套；所有进气出气管路需要配备可拆卸式加热保温套，配备分段独立控制加热系统，满足不同温度的自由设置；源瓶采用标准VCR接口通用源瓶；容器：3个50毫升液态源钢瓶和1个100毫升固态源钢瓶；管路采用多支管设计，避免及减少管路见的交叉污染；所有前驱体管路全部采用不锈钢级管路，所有管路加热温度室温至200℃可控，控制精度±0.5℃；管路具有高密封性、耐高温耐腐蚀；管路有自清洗模式，避免反应物残留；管路载气为氮气或者氩气，配备进口数字式模拟量、金属密封质量流量计（如美国mks），流量控制0-100sccm，流量控制精度≤±1%。4)真空系统：具有断电保护功能、含气体稳定系统；配备进口数字压力计，测量范围10E-4 Torr~10E+3Torr；真空机械泵系统要求国外知名品牌产品；真空泵与腔体之间配前驱体气体吸收器(trapper)及配套加热套、出口配备过滤装置；排气管路：排气管路加热温度室温至150℃可控；配置截止阀一个，加热温度室温至150℃可控。5)控制硬件： PLC控制系统，硬件控制系统须具备1 毫秒前驱体脉冲时间的精确分辨控制能力，每一前驱体脉冲时间所对应的压强值必须能重复在同一个水平上，保证进入反应腔的前驱体的量精确可控。6)控制软件：专用的控制软件,可以在计算机上设定薄膜沉积条件及工艺参数，能全自动运行，并可以显示系统运行中的各个参数，每个脉冲曲线都可以显示回放。7)外设连接配件：气体管路及气体控制阀门均需采用洁净不锈钢金属软管连接至设备。3.其他伴随服务1）随设备提供高纯度铝源1瓶，并灌装在相应的前驱体源瓶中，可直接使用。2）提供备用配件，质保期1年，软件终身免费升级。 | 384800.0 | 单项低价原则 |
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