2英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级,4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级,4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底R级中标结果
2英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级,4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级,4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底R级中标结果
| 申购单类型 | 竞价类 | 申购主题 | 2英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级,4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级,4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底R级 | ||||
| 发布中标时间： | 2019-07-02 17:24 | 经费科目 | 2.科研专款或基金（纵向） | 使用币种 | 人民币 | 是否含税 | 否 |
| 申购备注 | 1、不限本地供应商2、申购人：刘静月 | ||||||
| 中标供应商 | 设备名称 | 品牌厂商 | 型号 | 规格配置 | 是否标配 | 申购数量 | 中标单价 | 售后服务 | 差异描述 | 中标理由 | |||||
| 山东天岳先进材料科技有限公司 | 2英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级 | 不限 | 不限 | 直径：50.8 mm ± 0.38 mm表面取向：{0001} ± 0.2°主参考面取向：＜11-20＞ ± 5.0?副参考面取向：顺时针与主参考面成90? ± 5.0?, Si面朝上主参考面长度：16.0 mm ± 1.65 mm副参考面长度：8.0 mm ± 1.65 mm晶片边缘：倒角微管密度：≤5 个/cm2多型（强光灯观测）：不允许电阻率：≥1E7 Ω·cm厚度：350.0 μm ± 25.0 μm总厚度变化：≤10 μm弯曲度（绝对值）：≤10 μm翘曲度：≤25 μm表面处理：C-面: 光学抛光, Si-面: 化学机械抛光（CMP）表面粗糙度：CMP Si-面 Ra≤0.5 nm裂纹（强光灯观测）：不允许崩边/缺口（漫反射光观测）：不允许有效面积：≥90％ | 是 | 20 | 4,000.0 | 质保期一年 | 单项低价原则 | ||||||
| 山东天岳先进材料科技有限公司 | 4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底P级 | 不限 | 不限 | 直径：100.0mm+0.0/-0.5mm微管密度：≤1/cm2多型：不允许电阻率：≥1E7Ω·cm总厚度变化：≤10μm弯曲度（绝对值）：≤25μm翘曲度：≤45μm表面粗糙度：≤0.2nm表面取向：{0001}±0.2°主参考面取向：＜11-20＞±5.0°副参考面取向：顺时针与主参考面成90°±5.0°，Si面朝上主参考面长度：32.5mm±2.0mm副参考面长度：18.0mm±2.0mm厚度：500μm±25μm表面处理：C-面: 光学抛光, Si-面: 化学机械抛光（CMP）裂纹（强光灯观测）：不允许崩边/缺口（漫反射光观测）：不允许 | 是 | 5 | 13,500.0 | 质保期一年 | 单项低价原则 | ||||||
| 山东天岳先进材料科技有限公司 | 4英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底R级 | 不限 | 不限 | 直径：100.0mm+0.0/-0.5mm微管密度：≤5/cm2多型：不允许电阻率：≥1E7Ω·cm总厚度变化：≤10μm弯曲度（绝对值）：≤25μm翘曲度：≤45μm表面粗糙度：≤0.2nm表面取向：{0001}±0.2°主参考面取向：＜11-20＞±5.0°副参考面取向：顺时针与主参考面成90°±5.0°，Si面朝上主参考面长度：32.5mm±2.0mm副参考面长度：18.0mm±2.0mm厚度：500μm±25μm表面处理：C-面: 光学抛光, Si-面: 化学机械抛光（CMP）裂纹（强光灯观测）：不允许崩边/缺口（漫反射光观测）：≤2个，且每个长度宽度均＜1mm | 是 | 5 | 9,000.0 | 质保期一年 | 单项低价原则 | ||||||
标签: 绝缘
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