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半导体芯片用超高纯原材料研制建设项目(武汉拓材科技有限公司)

地区:湖北 项目进度:环评公示 更新时间:2021年04月21日
项目详情
项目概况:
半导体芯片用超高纯原材料研制建设项目(武汉拓材科技有限公司)   工程地址:湖北省鄂州市葛店经济技术开发区 区光谷联合科技城C3-3 栋  工程进度:环评公示  项目性质:扩建    项目简介:项目名称 半导体芯片用超高纯原材料研制建设项目建设单位 武汉拓材科技有限公司建设地点 湖北省鄂州市葛店经济技术开发区 区光谷联合科技城C3-3 栋建设概况 占地面积约1000平方米,在现有工程基础上新增研发室,改建水房等。 投资约2000万元《查看详情》
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更进记录

【设计院单位资料】 建筑工程师:*** 结构工程师:*** 给排水工程师:*** 暖通工程师:*** 电气工程师:*** 《查看详情》
【施工方单位资料】项目经理:*** 采购经理:*** 工程部经理:*** 商务部经理:*** 《查看详情》
【装修设计单位资料】室内设计师:*** 装修单位:*** 电话:*** 《查看详情》