武汉高德红外股份有限公司: 新一代自主红外芯片研发及产业化项目
地区：湖北
项目进度：环评公示
更新时间：2019年01月28日
项目详情
项目概况：武汉高德红外股份有限公司: 新一代自主红外芯片研发及产业化项目 工程地址：湖北省|武汉市东湖新技术开发区黄龙山南路6号 工程进度：环评公示 项目性质：新建 项目简介：武汉高德红外股份有限公司: 新一代自主红外芯片研发及产业化项目工程地址：湖北省|武汉市东湖新技术开发区黄龙山南路6号一项工业发展，总建筑面积为26550平方米，项目总投资额为470.00 mnRMB，总造价为60.00 mnRMB。包括: * 研发, 生产车间及配套等设施, 建筑面积20000平方米 * 净化车间6000平方米 * 配套化学仓库550平方米项目采用:钢结构-框架结构- 《查看详情》
服务热线：400-810-9688
|