年产200万片可调光衰减器、40G/100G高速发射接收器等系列光电子集成芯片
地区：河南
项目进度：项目备案申请
更新时间：2014年02月14日
项目详情
项目概况：年产200万片可调光衰减器、40G/100G高速发射接收器等系列光电子集成芯片 工程地址：鹤壁市金山产业集聚区 工程进度：项目备案申请 项目性质：新建 项目简介：项 目 名 称 年产200万片可调光衰减器、40G/100G高速发射接收器等系列光电子集成芯片 建设规模、工艺技术、主要装备（含引进）、市场预测 建设规模：项目不新增用地，在现有厂房的基础上进行超净线改造建设，项目达产后可以形成年产400万片可调光衰减器、40G/100G高速发射接收器等系列光电子集成芯片；工艺技术：在基片上通过设计，包层，光刻，刻蚀，切割，抛光，耦合、倒装、键合、封装等工艺技术制做光电子集成芯片；主要装备： PECVD设备，APS刻蚀设备，抛...《查看详情》
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