第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目(北京天科合达半导体股份有限公司)
地区：北京
项目进度：主体工程阶段
更新时间：2020年06月09日
项目详情
项目概况：第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目 工程地址：北京市大兴新城东南片区 0605-022B 地块 工程进度：主体工程阶段 项目性质：新建 项目简介：项目名称 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目建设单位 北京天科合达半导体股份有限公司建设地点 北京市大兴新城东南片区 0605-022B 地块建设概况 占地面积约33687.914平方米，分为生产厂房、中试车间、化学品库、气体间、氢气库、宿舍楼，设有生产车间一座，地上三层，一层主要布设晶体生长、磨圆、切割等工序，二层主要布设研磨、抛光、清洗等工序，三层主要为空调机房、动力控制室、空压站、泵房等。地下设有一层，主要布设配电室、水泵房、消防水池和污水处理设施。设中试车...《查看详情》
服务热线：400-810-9688
|