三星（中国）半导体有限公司12 英寸闪存芯片项目使用离子注入机等射线装置核技术应用项目
地区：陕西
项目进度：环评公示
更新时间：2014年05月05日
项目详情
项目概况：三星（中国）半导体有限公司12 英寸闪存芯片项目使用离子注入机等射线装置核技术应用项目 工程地址：高新区高新保税区洨河北路1999号 工程进度：环评公示 项目性质：新建 项目简介：该项目总投资约440亿元人民币（70亿美元），总建筑面积374698m2，总用地面积444700 m2。建设芯片生产厂房及其配套设施，安装12 英寸闪存芯片生产线，线宽10nm 级（10-19 nm），7 万片/月。主要建筑物包括主生产厂房（FAB）、特气化配厂房（GCS）、测试厂房（EDS）、动力站（CUB）、食堂、化学品库、仓库、门卫等。《查看详情》
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更进记录
【业主单位/开发商/投资人】项目经理：刘** 手机：137** 电话：029-8** 邮编：*** 商务经理：*** 工程部经理：*** 《查看详情》
【环评单位】项目经理：刘** 手机：158** 电话：***** 邮编：*** 商务经理：*** 工程部经理：***《查看详情》
【设计院单位资料】 建筑工程师：*** 结构工程师：*** 给排水工程师：*** 暖通工程师：*** 电气工程师：*** 《查看详情》
【施工方单位资料】项目经理：*** 采购经理：*** 工程部经理：*** 商务部经理：*** 《查看详情》
【装修设计单位资料】室内设计师：*** 装修单位：*** 电话：*** 《查看详情》