年产3万片大尺寸SiC单晶及其功率器件
地区：河南
项目进度：项目备案申请
更新时间：2013年07月30日
项目详情
项目概况：年产3万片大尺寸SiC单晶及其功率器件 工程地址：新乡经济技术开发区纬七路与经九路交叉口东南角 工程进度：项目备案申请 项目性质：新建 项目简介：项 目 名 称 年产3万片大尺寸SiC单晶及其功率器件 建设规模、工艺技术、主要装备（含引进）、市场预测 占地85亩，其中一期新建车间建筑面积3000平方米。项目完成以后，实现国产化4英寸SiC单晶研发、产业化和在大功率IGBT等器件中的示范应用，4英寸SiC单晶衬底及外延片年产能达到3万片以上。工艺技术：大尺寸SiC单晶生长-SiC衬底加工及检测-在衬底上进行厚外延层生长-进行SiC-IGBT器件设计-SiC-IGBT器件制备与封装-产品检验-入库-发货；主要装备：单晶材料...《查看详情》
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