年产7.6亿只功率半导体元器件及其他电子器件项目(英飞凌半导体（无锡）有限公司)
地区：江苏
项目进度：环评公示
更新时间：2015年08月28日
项目详情
项目概况：年产7.6亿只功率半导体元器件及其他电子器件项目 工程地址：无锡高新区综合保税区B区行创三路5-6号厂房 工程进度：环评公示 项目性质：新建 项目简介：年产7.6亿只功率半导体元器件及其他电子器件项目无锡高新区综合保税区B区行创三路5-6号厂房投资239600万元新建厂房，占地面积12760平方米，建筑面积23450m2《查看详情》
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