普诚科技IC设计及生产基地项目(普诚创智（成都）科技有限公司)
地区：四川
项目进度：环评公示
更新时间：2016年05月30日
项目详情
项目概况：普诚科技IC设计及生产基地项目 工程地址：高新区西部园区，光明片区（原郫县合作街道光明村4组） 工程进度：环评公示 项目性质：新建 项目简介：普诚科技IC设计及生产基地项目高新区西部园区，光明片区（原郫县合作街道光明村4组）普诚创智（成都）科技有限公司决定投资2100万美金，于成都市高新区西部园区光明片区建设普诚科技IC设计及生产基地，年产IC芯片2亿颗。本项目建设内容为：设计软件程序、将程序录入IC芯片、IC芯片的装配。本项目外购集成电路产品可直接进行程序录入，并不对集成电路产品进行制造及机加工。《查看详情》
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