辽宁中信 (略) 受大连理工大学 委托，根据《中华人民共和国政府采购法》等有关规定，现对大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目进行其他招标，欢迎合格的供应商前来投标。

项目名称：大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目

项目编号：DUTASD-*

项目联系方式：

项目联系人：贺春玲、赵莎、董超、郝燕、奚旺

项目联系电话：0411-*-804

采购单位联系方式：

采购单位：大连理工大学

采购单位地址： (略) 高新园区凌工路2号

采购单位联系方式：李老师/孙老师，0411-* / *

代理机构联系方式：

代理机构：辽宁中信 (略)

代理机构联系人：贺春玲、赵莎、董超、郝燕、奚旺0411-*-804

代理机构地址： (略) 西岗区五四路81号星海商城6号楼803室

一、采购项目内容

超高真空磁控溅射系统 1套

用于连续真空下电极/AlN介质/上电极结构薄膜电容器件制备，可实现AlN薄膜内极低的氧杂质含量和高结晶质量生长，可实现多种元素掺杂和掺杂量的精确控制。

1、三室互联结构，电极薄膜沉积室12h可抽至1 x 10^-5 Pa，停泵关机12h后真空度≤1 Pa；AlN薄膜沉积室极限真空≤8 x 10^-7 Pa，真空漏率≤5×10^-10 Pa.l/s，24h可达1 x 10^-6 Pa，停泵关机12h后真空度≤0.1 Pa。

2、6英寸样品台，最高温度 600 °C、0-20转/min可调，可加0-200 V负偏压，具有射频源等离子体基片清洗功能。

3、每个沉积室至少配备3个磁控靶、2个射频电源和1个直流电源，3路工艺气体。

4、真空传样机械手：线性耦合力≥160 N，旋转耦合力矩≥4 N*M，耐烘烤温度≥200°C。

5、高精度真空规：使用温度0～50 ℃，零点压力温度影响测量误差±0.002% F.S

二、开标时间：**日 08:30

三、其它补充事宜

1、拟定的唯一供应商名称及其地址：

供应商名称： (略) 沈阳 (略)

供应商地址： (略) 浑南新区新源街1号

2、单一来源采购原因及相关说明：

钪（Sc）等元素掺杂的AlN薄膜具有优异的压电铁电性质，可用于新型高频高功率电子器件的制备。

AlN铁电薄膜及器件的制备条件极为严苛，首先要求真空腔室内的残余氧、水汽极低，极限真空≤8 x 10^-7 Pa，真空漏率≤5×10^-10 Pa.l/s，由此才能保障AlN薄膜内的氧杂质含量￡3mol%。氧杂质含量高于此值时，薄膜的结晶质量变差，同时漏导电流激增、抗击穿能力变差，无法满足高可靠性器件的应用需求。其次要求上下电极薄膜与AlN薄膜之间具有优秀的界面质量，无污染和氧化层，因此要求在连续高真空条件下传递样品，实现下电极/AlN介质/上电极多层复合薄膜的生长。

目前国内满足能实现多室磁控溅射同时具备上述超高真空和超高密封性功能的制造商仅 (略) 沈阳 (略) ，国外其他品牌也有部分可以达到，但是一般不接受定制型设备，价格也极其昂贵。经调研，国内其它薄膜制备厂商的技术特 (略) 场覆盖率高的高真空领域，对超高真空和超高密封性领域很少涉足。 (略) 沈阳 (略) 是 (略) 科研做配套设备的，在光源类大科学方面积累了大量超高真空和超高密封性技术能力。经调研，其从1998年就开始做超高真空磁控溅射设备，无论是真空系统还是磁控溅射源都有超高真空独特的结构和制作工艺。本次开展氮化铝铁电薄膜制备对残余气氛十分敏感，因此，只 (略) 沈阳 (略) 的超高真空薄膜制备系统能够满足本项目的技术需要，只能采用单一来源采购方式进行采购。

3、本项目专门面向中小企业采购

四、预算金额：

预算金额：195.* 万元（人民币）

　　辽宁中信 (略) 受大连理工大学 委托，根据《中华人民共和国政府采购法》等有关规定，现对大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目进行其他招标，欢迎合格的供应商前来投标。

项目名称：大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目

项目编号：DUTASD-*

项目联系方式：

项目联系人：贺春玲、赵莎、董超、郝燕、奚旺

项目联系电话：0411-*-804

采购单位联系方式：

采购单位：大连理工大学

采购单位地址： (略) 高新园区凌工路2号

采购单位联系方式：李老师/孙老师，0411-* / *

代理机构联系方式：

代理机构：辽宁中信 (略)

代理机构联系人：贺春玲、赵莎、董超、郝燕、奚旺0411-*-804

代理机构地址： (略) 西岗区五四路81号星海商城6号楼803室

一、采购项目内容

超高真空磁控溅射系统 1套

用于连续真空下电极/AlN介质/上电极结构薄膜电容器件制备，可实现AlN薄膜内极低的氧杂质含量和高结晶质量生长，可实现多种元素掺杂和掺杂量的精确控制。

1、三室互联结构，电极薄膜沉积室12h可抽至1 x 10^-5 Pa，停泵关机12h后真空度≤1 Pa；AlN薄膜沉积室极限真空≤8 x 10^-7 Pa，真空漏率≤5×10^-10 Pa.l/s，24h可达1 x 10^-6 Pa，停泵关机12h后真空度≤0.1 Pa。

2、6英寸样品台，最高温度 600 °C、0-20转/min可调，可加0-200 V负偏压，具有射频源等离子体基片清洗功能。

3、每个沉积室至少配备3个磁控靶、2个射频电源和1个直流电源，3路工艺气体。

4、真空传样机械手：线性耦合力≥160 N，旋转耦合力矩≥4 N*M，耐烘烤温度≥200°C。

5、高精度真空规：使用温度0～50 ℃，零点压力温度影响测量误差±0.002% F.S

二、开标时间：**日 08:30

三、其它补充事宜

1、拟定的唯一供应商名称及其地址：

供应商名称： (略) 沈阳 (略)

供应商地址： (略) 浑南新区新源街1号

2、单一来源采购原因及相关说明：

钪（Sc）等元素掺杂的AlN薄膜具有优异的压电铁电性质，可用于新型高频高功率电子器件的制备。

AlN铁电薄膜及器件的制备条件极为严苛，首先要求真空腔室内的残余氧、水汽极低，极限真空≤8 x 10^-7 Pa，真空漏率≤5×10^-10 Pa.l/s，由此才能保障AlN薄膜内的氧杂质含量￡3mol%。氧杂质含量高于此值时，薄膜的结晶质量变差，同时漏导电流激增、抗击穿能力变差，无法满足高可靠性器件的应用需求。其次要求上下电极薄膜与AlN薄膜之间具有优秀的界面质量，无污染和氧化层，因此要求在连续高真空条件下传递样品，实现下电极/AlN介质/上电极多层复合薄膜的生长。

目前国内满足能实现多室磁控溅射同时具备上述超高真空和超高密封性功能的制造商仅 (略) 沈阳 (略) ，国外其他品牌也有部分可以达到，但是一般不接受定制型设备，价格也极其昂贵。经调研，国内其它薄膜制备厂商的技术特 (略) 场覆盖率高的高真空领域，对超高真空和超高密封性领域很少涉足。 (略) 沈阳 (略) 是 (略) 科研做配套设备的，在光源类大科学方面积累了大量超高真空和超高密封性技术能力。经调研，其从1998年就开始做超高真空磁控溅射设备，无论是真空系统还是磁控溅射源都有超高真空独特的结构和制作工艺。本次开展氮化铝铁电薄膜制备对残余气氛十分敏感，因此，只 (略) 沈阳 (略) 的超高真空薄膜制备系统能够满足本项目的技术需要，只能采用单一来源采购方式进行采购。

3、本项目专门面向中小企业采购

四、预算金额：

预算金额：195.* 万元（人民币）