A*其他试验仪器及装置

离子注入纳微加工系统通过调节离子注入剂量、射程、角度等重要参数，精确控制材料表面掺杂并实现数量与质量的可控，通过材料的电子阻碍和核阻碍等能量损耗机制实现其在靶材内的驻留，可用做半导体材料、大规 (略) 和器件的纳微加工制造，也可用于金属、陶瓷材料的高质量表面改性等。离子注入纳微加工系统包括离子源（能够引出Ar+、N+、P+、B+、Al+，配备气态离子源和固态离子源,能量：30KeV-380KeV）、束线（质量分辨率M/△M ≥60）、靶室（注入晶片尺寸：6″、4″及不规格小片，装片量：4靶位手动装卸片（至少包含1个加热靶位）,每个靶位的角度可独立自动调整，每个靶位可装载1片；可提供注入最高温度≥550℃；注入角度：0°～45°自动可调）、电气控制（剂量范围：5E11～1E16 ions/cm2；注入均匀性：1σ≤1%（5E14、100KeV）；注入重复性：1σ≤1%（5E14、100KeV））及辅助系统（X射线泄露值：≤0.6μSv/h等）。

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离子注入纳微加工系统通过调节离子注入剂量、射程、角度等重要参数，精确控制材料表面掺杂并实现数量与质量的可控，通过材料的电子阻碍和核阻碍等能量损耗机制实现其在靶材内的驻留，可用做半导体材料、大规 (略) 和器件的纳微加工制造，也可用于金属、陶瓷材料的高质量表面改性等。离子注入纳微加工系统包括离子源（能够引出Ar+、N+、P+、B+、Al+，配备气态离子源和固态离子源,能量：30KeV-380KeV）、束线（质量分辨率M/△M ≥60）、靶室（注入晶片尺寸：6″、4″及不规格小片，装片量：4靶位手动装卸片（至少包含1个加热靶位）,每个靶位的角度可独立自动调整，每个靶位可装载1片；可提供注入最高温度≥550℃；注入角度：0°～45°自动可调）、电气控制（剂量范围：5E11～1E16 ions/cm2；注入均匀性：1σ≤1%（5E14、100KeV）；注入重复性：1σ≤1%（5E14、100KeV））及辅助系统（X射线泄露值：≤0.6μSv/h等）。