北京离子注入招标预告

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高温功率器件工艺开发(离子注入在正文或附件中)

中束流离子注入机剂量设置范围：1E11～1E16(离子注入在正文或附件中)

PN节型离子注入型探测器 等需求公告 采购基本信息： 期望到货日期： 2...(离子注入在正文或附件中)

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光子芯片等的研究过程中在沉积介质膜后需要进行长时间退火以提高介质膜层的致密度；在芯片离子注入后需要经...(离子注入在正文或附件中)

1/拟新增一套多功能AFM+SEM原位同步联用系统用于微纳加工、芯片制造、新能源材料样品的高精度综合...(离子注入在正文或附件中)

1/拟新增一套多功能AFM+SEM原位同步联用系统用于微纳加工、芯片制造、新能源材料样品的高精度综合...(离子注入在正文或附件中)

拟新增一套中电流离子注入设备广泛用于掺杂工艺可以满足浅结、低温和精确控制等要求克服了常规工艺的限制。(离子注入在正文或附件中)

高精度离子注入设备是一种低离子注入能量高定位精度的新型离子掺杂设备。在未来二维微电子器件的工艺制造中...(离子注入在正文或附件中)

本采购项目为轻离子注入器的RFQ加速结构用作小型医用加速器注入器频率为750MHz将质子加速到3Me...(离子注入在正文或附件中)

针对轻离子注入加速器要求在其中能加速段采用SCDTL加速结构SCDTL承担的主要功能是将质子束流从1...(离子注入在正文或附件中)

针对轻离子注入直线加速器3-8(离子注入在正文或附件中)

本设备主要用于PECVD(Si3N4/SiON/SiO2)LPCVD(Poly/SiO2/Si3N4...(离子注入在正文或附件中)

针对轻离子注入加速器要求在其中能加速段采用SCDTL加速结构SCDTL承担的主要功能是将质子束流从3...(离子注入在正文或附件中)

针对轻离子注入加速器要求需要制造一台RFQ加速器。该RFQ加速器频率750(离子注入在正文或附件中)

针对轻离子注入直线加速器装置的RFQ射频腔体还需要配置一台高功率的射频功率源经过慎重选择计划采用全固...(离子注入在正文或附件中)

能够提供重要的电阻率的分布曲线载流子浓度的分布曲线以及有效掺杂浓度的分布曲线等适用于表征半导体衬底材...(离子注入在正文或附件中)

2台用于多种元素的离子注入(离子注入在正文或附件中)

高温离子注入注入元素不限于(离子注入在正文或附件中)

1.离子类型(离子注入在正文或附件中)

中国远东国际招标有限公司受北京烁科中科信电子装备有限公司的委托，对下述项目进行国内公开招标。 ...(离子注入在正文或附件中)

招标公告 中国远东国际招标有限公司受北京烁科中科信电子装备有限公司的委托，对下述项目进行国内...(离子注入在正文或附件中)

拟采购快速热退火系统一台晶圆尺寸：8英寸、6英寸、4英寸兼容。工艺能力包含且不限于：离子注入后的热退...(离子注入在正文或附件中)

拟采购1套。要求：晶圆尺寸：可兼容200mm及以下尺寸硅片、不规则片；注入元素：含B、P、N、Ar、...(离子注入在正文或附件中)

拟采购8”离子束注入机一台主要技术参数：晶圆尺寸：可兼容200mm及以下尺寸硅片、不规则片注入元素：...(离子注入在正文或附件中)

轻离子注入RFQ加速器（325MHz）对离子源提供的轻离子束流进行加速将束流能量从45keV提高到2...(离子注入在正文或附件中)

工艺仿真要求：半导体材料的模拟离子注入、扩散、蚀刻、淀积、光刻、氧化及硅化。器件仿真要求：完全的依赖...(离子注入在正文或附件中)

拟采购离子注入机一套用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入还用于金属材料表面改性和制膜等支持...(离子注入在正文或附件中)

对半导体表面附近区域进行掺杂(离子注入在正文或附件中)