大连理工大学2022年11月政府采购意向-大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目-A02052402真空应用设备-预算金额195.000000万元(人民币)
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大连理工大学2022年11月政府采购意向-大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目-A02052402真空应用设备-预算金额195.000000万元(人民币)
| 大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目 | |
| 项目所在采购意向： | 大连理工大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 大连理工大学 |
| 采购项目名称： | 大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目 |
| 预算金额： | 195.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*真空应用设备 |
| 采购需求概况： | 超高真空磁控溅射系统 1 套用于连续真空下电极/AlN 介质/上电极结构薄膜电容器件制备，可实现 AlN薄膜内极低的氧杂质含量和高结晶质量生长，可实现多种元素掺杂和掺杂量的精确控制。1、三室互联结构，电极薄膜沉积室 12h 可抽至 1 x 10-5Pa，停泵关机 12h后真空度≤1 Pa；AlN 薄膜沉积室极限真空≤8 x 10-7Pa，真空漏率≤5×10-10Pa.l/s，24h 可达 1 x 10-6Pa，停泵关机 12h 后真空度≤0.1 Pa。2、6 英寸样品台，最高温度 600 ？C、0-20 转/min 可调，可加 0-200 V 负偏压，具有射频源等离子体基片清洗功能。3、每个沉积室至少配备 3 个磁控靶、2 个射频电源和 1 个直流电源，3 路工艺气体4、真空传样机械手：线性耦合力≥160 N，旋转耦合力矩≥4 N*M，耐烘烤温度≥200？C。5、高精度真空规：使用温度 0～50 ℃，零点压力温度影响测量误差 ±0.002% F.S |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目 | |
| 项目所在采购意向： | 大连理工大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 大连理工大学 |
| 采购项目名称： | 大连理工大学超高真空磁控溅射系统采购项目 |
| 预算金额： | 195.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*真空应用设备 |
| 采购需求概况： | 超高真空磁控溅射系统 1 套用于连续真空下电极/AlN 介质/上电极结构薄膜电容器件制备，可实现 AlN薄膜内极低的氧杂质含量和高结晶质量生长，可实现多种元素掺杂和掺杂量的精确控制。1、三室互联结构，电极薄膜沉积室 12h 可抽至 1 x 10-5Pa，停泵关机 12h后真空度≤1 Pa；AlN 薄膜沉积室极限真空≤8 x 10-7Pa，真空漏率≤5×10-10Pa.l/s，24h 可达 1 x 10-6Pa，停泵关机 12h 后真空度≤0.1 Pa。2、6 英寸样品台，最高温度 600 ？C、0-20 转/min 可调，可加 0-200 V 负偏压，具有射频源等离子体基片清洗功能。3、每个沉积室至少配备 3 个磁控靶、2 个射频电源和 1 个直流电源，3 路工艺气体4、真空传样机械手：线性耦合力≥160 N，旋转耦合力矩≥4 N*M，耐烘烤温度≥200？C。5、高精度真空规：使用温度 0～50 ℃，零点压力温度影响测量误差 ±0.002% F.S |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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