A*其他试验仪器及装置

拟采购1套。要求：圆柱体304 S/S不锈钢超高真空圆柱形主反应腔室，主腔室尺寸≤400 mm高×360 mm直径，底部采用金属密封，极限真空压强≤5×10E-8 Torr；工艺腔体内样品台可在氧气环境下加热，反重力方向沉积，最高加热温度在850 ℃以上，PID温控精度≤±1 ℃；镀膜均匀性：直径100 mm硅片镀制SiO2或TiN薄膜，薄膜不均匀性≤±2.5%（去掉5 mm边缘），均匀性计算公式：±均匀性=((最大–最小)/(2×平均))×100%。薄膜重复性：同样镀膜工艺重复率偏差≤±2.5%。主腔室配置接口与电子束蒸发热蒸发腔体实现双腔室系统高真空互联，并配置相应的阀门；靶枪：★配置不少于2套2英寸超高真空共溅射靶枪（向上溅射）；靶枪可后续不更换全部主体升级成强磁靶枪，强磁靶枪支持非磁性材料和磁性材料工作模式的切换，可兼容3mm厚磁性材料（含Fe）；所有靶枪均配备独立的气动挡板和套筒，防止靶材交叉污染，并且至少可预留不少于6个共溅射靶枪接口及1个离轴溅射靶接口，后续可升级；靶枪适应真空度10-11 Torr环境并可被烘烤至200℃无需在烘烤系统前移除磁铁；

A*其他试验仪器及装置

拟采购1套。要求：圆柱体304 S/S不锈钢超高真空圆柱形主反应腔室，主腔室尺寸≤400 mm高×360 mm直径，底部采用金属密封，极限真空压强≤5×10E-8 Torr；工艺腔体内样品台可在氧气环境下加热，反重力方向沉积，最高加热温度在850 ℃以上，PID温控精度≤±1 ℃；镀膜均匀性：直径100 mm硅片镀制SiO2或TiN薄膜，薄膜不均匀性≤±2.5%（去掉5 mm边缘），均匀性计算公式：±均匀性=((最大–最小)/(2×平均))×100%。薄膜重复性：同样镀膜工艺重复率偏差≤±2.5%。主腔室配置接口与电子束蒸发热蒸发腔体实现双腔室系统高真空互联，并配置相应的阀门；靶枪：★配置不少于2套2英寸超高真空共溅射靶枪（向上溅射）；靶枪可后续不更换全部主体升级成强磁靶枪，强磁靶枪支持非磁性材料和磁性材料工作模式的切换，可兼容3mm厚磁性材料（含Fe）；所有靶枪均配备独立的气动挡板和套筒，防止靶材交叉污染，并且至少可预留不少于6个共溅射靶枪接口及1个离轴溅射靶接口，后续可升级；靶枪适应真空度10-11 Torr环境并可被烘烤至200℃无需在烘烤系统前移除磁铁；