zycgr210708012023年4至12月政府意向-氧化物薄膜沉积设备-A021099其他仪器仪表-预算金额380.000000万元(人民币)招标预告
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zycgr210708012023年4至12月政府意向-氧化物薄膜沉积设备-A021099其他仪器仪表-预算金额380.000000万元(人民币)招标预告
| 氧化物薄膜沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | zycgr*年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | zycgr* |
| 采购项目名称： | 氧化物薄膜沉积设备 |
| 预算金额： | 380.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他仪器仪表 |
| 采购需求概况 ： | 该系统主要用于对硅、锗量子材料表面介电层材料的生长，需要满足以下生长条件： 1、 可原位的与硅锗分子束外延设备进行真空互联，实现样品的可靠传送。 2、 系统可满足氧化铝，氧化铪，氧化锆等多种氧化物材料的生长。 3、 系统兼容4英寸晶圆，其薄膜均匀性应优于5%。 4、 系统衬底加热温度可从室温加热至300℃。 本系统需要采购一台。配套可在电脑端进行独立控制的软件。需提供设备的安装、使用培训、以及设备的质保维修服务。 |
| 预计采购时间： | 2023-09 |
| 氧化物薄膜沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | zycgr*年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | zycgr* |
| 采购项目名称： | 氧化物薄膜沉积设备 |
| 预算金额： | 380.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他仪器仪表 |
| 采购需求概况 ： | 该系统主要用于对硅、锗量子材料表面介电层材料的生长，需要满足以下生长条件： 1、 可原位的与硅锗分子束外延设备进行真空互联，实现样品的可靠传送。 2、 系统可满足氧化铝，氧化铪，氧化锆等多种氧化物材料的生长。 3、 系统兼容4英寸晶圆，其薄膜均匀性应优于5%。 4、 系统衬底加热温度可从室温加热至300℃。 本系统需要采购一台。配套可在电脑端进行独立控制的软件。需提供设备的安装、使用培训、以及设备的质保维修服务。 |
| 预计采购时间： | 2023-09 |
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