A*其他试验仪器及装置

拟采购介电材料离子源辅助磁控溅射镀膜机1台，技术参数需求：真空系统：无油真空系统，抽气和放气带缓抽缓放功能。工艺腔室极限真空优于3E-7torr，从大气抽到5E-6torr少于40分钟，漏率不超过5E-5torr.l/s； 不少于六路气路，三路供离子源，三路供靶枪。均由质量流量控制器控制，控制精度为最大量程的±1%； 配置不少于3个直径4英寸标准磁场靶枪，每个靶枪均配置电控挡板和均匀性修正挡板； 靶枪基本安全报警功能需包括真空度不足监控报警、冷却水不足监控报警、挡板位置是否到位监控报警；配备2个不小于1.5KW的直流脉冲电源，工作频率40kHz，占空比60%-90%可调。每个电源都可以自动切换到三个靶枪；配备一个不小于600W的射频电源，频率13.56MHz，连接到其中一个靶枪； 射频电源采用功率控制模式，自动匹配时间3S，反射功率3W；连续溅射半个小时，输出功率波动3W。配备一个60mm口径射频离子源，配套不小于500W射频电源，可以纯氧气、氮气、氩气或者混合气体工作。 配置一个石英晶体膜厚控制器和防电磁辐射晶控双探头，时间控制和石英晶体膜厚控制协同工作； 配备石英加热灯，具有防短路和防镀膜设计，加热范围为室温～150℃，控温精度±2 ℃；工件架为8英寸公转平盘，转速5～40rpm可调，正转、反转可控，转速实时在线检测并显示。 具有水温和水流量实时检测功能，控制软件界面能够显示水温和水流量的实时值，异常时报警；全自动程序控制系统，实现“一键”工艺完成；PC+PLC控制模式，具有手动、自动、维护三种操作模式，并且具有分级密码管理功能； 具有独立的工艺程序编辑软件；具有日志存储功能，实时工艺参数自动记录和存储； 配有图形化数据显示软件，实现工艺过程中各项工艺参数的实时图形化显示； 配有图形化数据分析软件，实现历史工艺数据导入，并将其转化为图形化数据，方便镀膜后的分析总结； 单片进样室，全自动程序控制折叠式机械手送片、取片； 折射率变化：0.03； 镀膜重复性：±1.5%； 镀膜均匀性：±1%； SiO2溅射速率达到0.1nm/s；膜层致密度：镀制高致密薄膜，膜层致密无温飘，水煮1小时后使用分光光度计或椭偏仪测量单层膜峰值波长漂移0.3%；高温热托盘烘烤后不炸膜。

A*其他试验仪器及装置

拟采购介电材料离子源辅助磁控溅射镀膜机1台，技术参数需求：真空系统：无油真空系统，抽气和放气带缓抽缓放功能。工艺腔室极限真空优于3E-7torr，从大气抽到5E-6torr少于40分钟，漏率不超过5E-5torr.l/s； 不少于六路气路，三路供离子源，三路供靶枪。均由质量流量控制器控制，控制精度为最大量程的±1%； 配置不少于3个直径4英寸标准磁场靶枪，每个靶枪均配置电控挡板和均匀性修正挡板； 靶枪基本安全报警功能需包括真空度不足监控报警、冷却水不足监控报警、挡板位置是否到位监控报警；配备2个不小于1.5KW的直流脉冲电源，工作频率40kHz，占空比60%-90%可调。每个电源都可以自动切换到三个靶枪；配备一个不小于600W的射频电源，频率13.56MHz，连接到其中一个靶枪； 射频电源采用功率控制模式，自动匹配时间3S，反射功率3W；连续溅射半个小时，输出功率波动3W。配备一个60mm口径射频离子源，配套不小于500W射频电源，可以纯氧气、氮气、氩气或者混合气体工作。 配置一个石英晶体膜厚控制器和防电磁辐射晶控双探头，时间控制和石英晶体膜厚控制协同工作； 配备石英加热灯，具有防短路和防镀膜设计，加热范围为室温～150℃，控温精度±2 ℃；工件架为8英寸公转平盘，转速5～40rpm可调，正转、反转可控，转速实时在线检测并显示。 具有水温和水流量实时检测功能，控制软件界面能够显示水温和水流量的实时值，异常时报警；全自动程序控制系统，实现“一键”工艺完成；PC+PLC控制模式，具有手动、自动、维护三种操作模式，并且具有分级密码管理功能； 具有独立的工艺程序编辑软件；具有日志存储功能，实时工艺参数自动记录和存储； 配有图形化数据显示软件，实现工艺过程中各项工艺参数的实时图形化显示； 配有图形化数据分析软件，实现历史工艺数据导入，并将其转化为图形化数据，方便镀膜后的分析总结； 单片进样室，全自动程序控制折叠式机械手送片、取片； 折射率变化：0.03； 镀膜重复性：±1.5%； 镀膜均匀性：±1%； SiO2溅射速率达到0.1nm/s；膜层致密度：镀制高致密薄膜，膜层致密无温飘，水煮1小时后使用分光光度计或椭偏仪测量单层膜峰值波长漂移0.3%；高温热托盘烘烤后不炸膜。