北京去胶招标预告

采购标的名称：干法去胶机。采购数量为1台。采购标的主要功能：满足8英寸晶圆刻蚀后去胶腔体数量1为IC...(去胶在正文或附件中)

12吋晶圆级激光去胶开槽设备 项目所在采购意向： 中国科学院微电子...(去胶在正文或附件中)

芯片加工教学研究平台包含桌面式光刻机6台小型磁控溅射设备3台离子束刻蚀机3台多种微纳器件测试设备共5...(去胶在正文或附件中)

本设备主要用于PECVD(Si3N4/SiON/SiO2)LPCVD(Poly/SiO2/Si3N4...(去胶在正文或附件中)

采购标的名称：8英寸晶圆干法去胶机。采购标的主要功能：设备产生的等离子体与有机聚合物发生氧化反应去除...(去胶在正文或附件中)

用于三维异质异构集成等离子低缺陷划片工艺过程中切割道处保护胶和介质层与金属线路的激光去除是项目研发必...(去胶在正文或附件中)

该系统主要用于**光刻配套关键工艺中的小尺寸铝互连线刻蚀以及14nm(去胶在正文或附件中)

干法去胶又称等离子体去胶是一种利用氧气、氮气或氢气等离子体中的活性粒子与圆片上的光刻胶发生反应使之分...(去胶在正文或附件中)

本设备是支撑中科院先导C项目和国家攻关工程项目的核心设备与12吋芯片至晶圆微米级混合键合一体机配套为...(去胶在正文或附件中)

8英寸兼容6英寸晶圆工艺温度≤90℃下去胶均匀性片内≤10%去胶速率≥300nm/min。(去胶在正文或附件中)

了实现空气桥与去胶更干净的铟柱子共存我们希望用该设备实现二氧化硅牺牲层空气桥的制备具体的步骤是在最后...(去胶在正文或附件中)

槽式显影台1台180万元；无机去胶清洗台1台280万元；有机去胶清洗台1台280万元；RCA清洗机2...(去胶在正文或附件中)

用于干法去胶(去胶在正文或附件中)

基础压力：0.14mbar(去胶在正文或附件中)

采购数量：1采购目标：开展新增博士点条件建设、高精尖学科建设、国家级一流专业建设、高层次应用型创新人...(去胶在正文或附件中)

实现基片扫底膜、表面光刻胶等有机残余物清理以及半导体材料干法刻蚀等功能(去胶在正文或附件中)

主要实现微纳电子器件加工和测试功能包含半导体器件分析仪（1套分辨率1fA时间采样率：100uS）、手...(去胶在正文或附件中)

包含单面湿法腐蚀机、去胶剥离清洗机和掩膜版清洗机各1套要求交货期小于等于半年质保期大于等于1年。单面...(去胶在正文或附件中)

高密度等离子、25片/批、大于等于200nm/min(去胶在正文或附件中)

微流控平台建设需采购一批基础科研设备包括诱导刻蚀激光曝光机（LIDE）1台玻璃石英深刻蚀机(NLD)...(去胶在正文或附件中)

光刻胶剥离或灰化(去胶在正文或附件中)

一、1.通用RCA清洗台2.功能：用于硅/玻璃的原料清洗以及金属镀膜前所有清洗工艺3.数量：1台4....(去胶在正文或附件中)

1.设备需满足如下三种主要工艺需求：a.可用于SU8等有机胶体材料的去胶工艺b.可用于晶圆上材料表面...(去胶在正文或附件中)

本设备与12英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机配套为12英寸设备对重构芯片晶圆与待键合晶圆实施高洁净...(去胶在正文或附件中)

用于拓扑、超导量子芯片中的铟点铟球铟柱子制备在制备倒装样品时用于底片与顶片连接在铟柱子的制备时需要大...(去胶在正文或附件中)

详见项目详情(去胶在正文或附件中)

1.名称：湿法去胶台2.功能：用于实现半导体MEMS制造流程中的湿法去胶工艺无机溶液（硫酸、双氧水等...(去胶在正文或附件中)

1.名称：等离子去胶机2.功能：用于实现半导体MEMS制造流程中干法除胶工艺应具备微波等离子清洗能力...(去胶在正文或附件中)

干法去胶机；主要用于光刻胶以及图形转移材料的去除；共采购1台；需要满足以下技术指标：1设备具有去等离...(去胶在正文或附件中)

干法去胶机；主要用于光刻胶以及图形转移材料的去除；共采购1台；需要满足以下技术指标：1设备具有去等离...(去胶在正文或附件中)