(1)真空内外双腔结构;(射频电源在正文或附件中)
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2024年11月政府采购意向-原子层沉积设备详细情况万元人民币 2024-10-29上海 -
复旦大学2024年6月政府采购意向-真空磁控溅射镀膜设备真空应用设备-预算金额万元人民币 能够实现8英寸基底的薄膜沉积能制备厚度差异在±5%(8英寸)的硫系化合物、氧化物等材料的薄膜沉积。配...(射频电源在正文或附件中)
2024-5-7上海 -
上海交通大学2023年3月政府采购意向-超高真空自由控温五靶自动磁控溅射系统-A021099其他仪器仪表-预算金额250.000000万元(人民币) 超高真空自由控温五靶自动磁控溅射系统1套超高真空自由控温五靶自动磁控溅射系统可以实现镁基结构和功能薄...(射频电源在正文或附件中)
2023-2-23上海 -
上海交通大学2023年2至3月政府采购意向-反应离子刻蚀机-A021099其他仪器仪表-预算金额230.000000万元(人民币) 该设备主要用于刻蚀石墨烯、六方氮化硼过渡金属硫族化物等二维材料这是加工二维器件的一个必要步骤。该设备...(射频电源在正文或附件中)
2023-2-21上海 -
上海交通大学2023年3月政府采购意向-反应离子刻蚀机-A021099其他仪器仪表-预算金额230.000000万元(人民币) 该设备主要用于刻蚀石墨烯、六方氮化硼过渡金属硫族化物等二维材料这是加工二维器件的一个必要步骤。该设备...(射频电源在正文或附件中)
2023-2-20上海 -
上海交通大学2023年1月政府采购意向-高深宽比介质干法刻蚀系统-A032103电子工业专用生产设备-预算金额550.000000万元(人民币) 高深宽比介质干法刻蚀系统用于高深宽比SiO2及玻璃的RIE刻蚀。设备的主要性能指标如下:基片尺寸:最...(射频电源在正文或附件中)
2022-12-9上海 -
复旦大学2022年12月政府采购意向-离子束刻蚀-A032103电子工业专用生产设备-预算金额1000.000000万元(人民币) (1)气体种类:CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3等;(2)射频电源:(1)ICP...(射频电源在正文或附件中)
2022-11-22上海 -
复旦大学2022年12月政府采购意向-离子束刻蚀-A032103电子工业专用生产设备-预算金额1500.000000万元(人民币) (1)气体种类:CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3等;(2)射频电源:(1)ICP...(射频电源在正文或附件中)
2022-11-14上海 -
暨南大学2022年7月政府采购意向-暨南大学先进耐磨蚀及功能材料研究院2022年高水平大学建设项目采购-1、精密摩擦磨损测试系统1台设备主要功能为实现温度条件下(最 1、精密摩擦磨损测试系统(射频电源在正文或附件中)
2022-5-24上海 -
中国科学院上海硅酸盐研究所2021年6至8月政府采购意向-多靶位超高真空磁控溅射仪-符合验收指标要求(1)样品台具备溅射4英寸及以下尺寸基片的能 符合验收指标要求(1)样品台具备溅射4英寸及以下尺寸基片的能力;可在0-20(射频电源在正文或附件中)
2021-6-7上海 -
华中科技大学2021年1至6月政府采购意向-磁控溅射 设备名称:磁控溅射数量:一台技术参数:1、整机分为溅射工艺腔、样品传输腔和控制机柜组成;2、兼容8英...(射频电源在正文或附件中)
2020-12-30上海
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