设备名称：磁控溅射薄膜沉积系统(射频电源在正文或附件中)

设备名称：共溅射磁控溅射系统(射频电源在正文或附件中)

标的名称：等离子体刻蚀机系统 标的数量：1 主要功能或目标：该套仪器主要用于硅等半导体薄...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：等离子体刻蚀机系统 标的数量：1 主要功能或目标：该套仪器主要用于硅等半导体薄...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：等离子体刻蚀机系统 标的数量：1 主要功能或目标：该套仪器主要用于硅等半导体薄...(射频电源在正文或附件中)

拟采购磁控溅射镀膜机1台配置参数包括：1.基片尺寸：8英寸兼容8英寸以下基片；(射频电源在正文或附件中)

标的名称：刻蚀机（氮化镓材料) 标的数量：1 主要功能或目标：主要用于HEMT器件的工艺...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：刻蚀机（氮化镓材料) 标的数量：1 主要功能或目标：主要用于HEMT器件的工艺...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：低压化学气相沉积设备（多晶硅沉积） 标的数量：1 主要功能或目标：用加热的方式...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：低压化学气相沉积设备（多晶硅沉积） 标的数量：1 主要功能或目标：用加热的方式...(射频电源在正文或附件中)

1、购置总量：1套(射频电源在正文或附件中)

磁控溅射镀膜机。要求极限真空度小于10-6Pa样品台可加热到800℃以上配直流和射频电源可充氮气和氧...(射频电源在正文或附件中)

拟采购磁控溅射仪（sputter）一套配置包括：1、基片尺寸：8英寸兼容8英寸以下基片。2、镀膜均匀...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：晶圆键合机 标的数量：1 主要功能或目标：实现多层硅、硅-玻璃键合主要用于双层、多层硅键合...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：晶圆键合机 标的数量：1 主要功能或目标：实现多层硅、硅-玻璃键合主要用于双层、多层硅键合...(射频电源在正文或附件中)

拟采购的高真空磁控溅射镀膜仪是专用于制备金属、非金属薄膜材料的镀膜设备。该设备可以提供大尺寸（8寸）...(射频电源在正文或附件中)

拟采购磁控溅射仪（sputter）一套配置包括：1、基片尺寸：8英寸兼容8英寸以下基片。2、镀膜均匀...(射频电源在正文或附件中)

拟采购的高真空磁控溅射镀膜仪是专用于制备金属、非金属薄膜材料的镀膜设备。该设备可以提供大尺寸（8寸）...(射频电源在正文或附件中)

1.项目名称：原子层沉积系统数量：1台(射频电源在正文或附件中)

拟采购磁控溅射仪（sputter）一套配置包括：1、基片尺寸：8英寸兼容8英寸以下基片。2、镀膜均匀...(射频电源在正文或附件中)

PECVD设备数量：1台。该设备用于学院科研使用。技术要求：1.(射频电源在正文或附件中)

光电材料与国家重点实验室拟采购原子层沉积系统一套。主要技术指标：1、样品台为4英寸双腔腔体加热温度室...(射频电源在正文或附件中)

等离子清洗机数量：3套设备用途：用于扫描电镜及透射电镜样品表面处理。交付时间：2023年；交付地点要...(射频电源在正文或附件中)

集成电路学院拟采购真空磁控溅射设备1套。主要技术指标：要求至少配备6支4英寸磁控溅射靶枪靶枪表面可独...(射频电源在正文或附件中)

中山大学绿色化学与分子工程研究院拟采购超高真空磁控溅射系统1套。技术要求：1、设备包含进样室和沉积室...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：微波系统综合测试台 标的数量：1 主要功能或目标：微波电源系统综合测试台是一种集成式的测试...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：原子级界面低温高精密器件加工系统 标的数量：1 主要功能或目标：专门针对高密度第三代半导体...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：半实物仿真平台 标的数量：1 主要功能或目标：针对射频电源系统所具有的电压高、功率大、故障...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：2MHz射频电源测试系统 标的数量：1 主要功能或目标：完成对自主研发的2MHz射频电源的...(射频电源在正文或附件中)

标的名称：He3制冷低温恒温器 标的数量：1 主要功能或目标：用于制作超高真空低温强磁场扫描隧道显微...(射频电源在正文或附件中)