北京气相沉积招标预告

沉积管：直径(气相沉积在正文或附件中)

设备名称：等离子体增强化学气相沉积设备。采购数量；1台。采购标的主要功能：用于生长氧化硅、氮化硅、T...(气相沉积在正文或附件中)

设备名称：等离子体增强化学气相沉积设备。采购数量；1台。采购标的主要功能：用于生长氧化硅、氮化硅、T...(气相沉积在正文或附件中)

用于12吋三维异质异构集成混合键合技术研发开展晶圆表面无机释放层、金属种子层和阻挡层的溅射支撑后续高...(气相沉积在正文或附件中)

用于12吋三维异质异构集成混合键合技术研发开展晶圆与硅基新型载板的拆键合完成超薄晶圆背面线路制备后硅...(气相沉积在正文或附件中)

在超高真空条件下利用高速运动的氩离子轰击靶材形成靶材成分的等离子体并沉积到靶材上方的衬底上并进行原位...(气相沉积在正文或附件中)

申请购置的低压化学气相沉积设备将用于硅基薄膜材料的生长沉积和退火等工艺包括氮化硅、氧化硅、碳化硅材料...(气相沉积在正文或附件中)

薄膜沉积设备（PECVD）是一种化学气相沉积设备采用等离子体处理的方式将反应性气体激活经过化学反应沉...(气相沉积在正文或附件中)

设备主要用于氧化钒和氧化物半导体的磁控溅射镀膜用于制备非制冷红外传感器、热耦合晶体管、铁电场效应晶体...(气相沉积在正文或附件中)

沉积管：直径(气相沉积在正文或附件中)

本设备主要用于建立校级微纳工艺平台晶圆表面低温介质的沉积提供SiO2(气相沉积在正文或附件中)

磁控溅射是物理气相沉积的一种能稳定、可靠、低成本的制备ITO、TiN材料可支撑器件芯片研制和工艺研发...(气相沉积在正文或附件中)

1.1材质：碳碳化硅陶瓷基复合材料碳化硅碳化硅陶瓷基复合材料；(气相沉积在正文或附件中)

1、ICP、空心阴极、介质阻挡、微放电模拟；2、等离子体刻蚀设备中等离子体特性、中性气体特性和刻蚀轮...(气相沉积在正文或附件中)

(气相沉积在正文或附件中)

采购需求概况应当包括：1.采购标的名称：多腔室溅射系统(气相沉积在正文或附件中)

采购需求概况应当包括：1.采购标的名称：金属氧化物化学气相沉积(气相沉积在正文或附件中)

(气相沉积在正文或附件中)

主要适用于8英寸及向下兼容的等离子体化学气相沉积薄膜加工工艺被广泛应用于制造光电子芯片、CMOS芯片...(气相沉积在正文或附件中)

预采购低压化学气相沉积系统一台加工尺寸：4英寸；150毫米的均匀温度区；2个碳源氢气(气相沉积在正文或附件中)

磁控溅射是物理气相沉积的一种。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程和靶原子碰撞把部分动量传给靶原子此靶原...(气相沉积在正文或附件中)

热蒸发制程是用于沉积材料中最简单的物理气相沉积(气相沉积在正文或附件中)

氮化镓放大器中需要均匀、高重复性介质膜作为晶体管钝化材料与电容介质。随6G器件频率的提高晶体管寄生电...(气相沉积在正文或附件中)

购置该系统将提升量子级联材料研发能力、拓展材料组合体系既兼顾前端应用技术的开发、又兼顾新原理功能器件...(气相沉积在正文或附件中)

主要功能：6寸/8寸高均匀性硅衬底氮化物半导体micro-LED和射频材料外延生长数量1台套；设备供...(气相沉积在正文或附件中)

科研(气相沉积在正文或附件中)

科研(气相沉积在正文或附件中)

碳基栅叠层项目是为推动碳基芯片的发展而设立氧化硅和氮化硅薄膜是碳基器件测墙薄膜主要组成等离子增强化学...(气相沉积在正文或附件中)

拟购置的低压化学气相沉积反应装置支持在反应组分、组分浓度、晶相结构与分率、晶粒尺寸、表面形貌等特征参...(气相沉积在正文或附件中)

采购高密度等离子体化学气相沉积设备1台面向高密度器件研发需要同时引入多层互连沉积的薄膜可以满足后段互...(气相沉积在正文或附件中)