北京分子束外延招标预告

采购数量：19采购目标：以低碳技术创新及其绿色循环应用为切入点突破氢能研制和利用、储能材料研发、物质...(分子束外延在正文或附件中)

一、主要目标：为满足金属-氧化物异质结高质量的生长界面定制用于分子束外延的互联氧化物增材系统。其不仅...(分子束外延在正文或附件中)

用于对非阿贝尔任意子激发进行系统探测(分子束外延在正文或附件中)

拟采购氧化物分子束外延设备1套。包含漏率连续可控的臭氧源；提供不少于6个标准蒸发源接口；包含样品红外...(分子束外延在正文或附件中)

采购数量1该设备主要用于和现有分子束外延系统集成在SiGe材料上原位氧化或生长氧化物介电材料实现高质...(分子束外延在正文或附件中)

拟采购分子束外延源炉1套主要技术指标是温度稳定性优于±0.5(分子束外延在正文或附件中)

开展半导体/超导体异质结纳米线网络的原位外延制备用于拓扑量子比特的构筑。(分子束外延在正文或附件中)

分子束外延源炉是分子束外延设备的关键配件其通过加热放置在坩埚中的高纯源材料产生稳定的源材料束流该束流...(分子束外延在正文或附件中)

本设备用于沉积高精度掩膜200(分子束外延在正文或附件中)

超高真空扫描隧道显微镜和分子束外延联合系统一套。主要参数如下：超高真空系统(10-8Pa)超低温（0...(分子束外延在正文或附件中)

预处理腔极限真空5×10-10(分子束外延在正文或附件中)

数量：1套。为“基于量子反常霍尔效应边缘态拓扑量子计算研究”奠定材料基础。(分子束外延在正文或附件中)

数量：1套。两英寸超高真空分子束外延系统是用于生长制备拓扑量子材料和反常量子霍尔薄膜材料以及相关拓扑...(分子束外延在正文或附件中)

（1）外延室极限真空度≤5×10-9Pa；（2）束源炉数量≥11个（包括镓炉、铝炉、铟炉、砷裂解炉、...(分子束外延在正文或附件中)

提升量子级联材料研发能力、拓展材料组合体系既兼顾前端应用技术的开发、又兼顾新原理功能器件的探索有效促...(分子束外延在正文或附件中)

系统组成：1个生长主腔1个缓冲腔1个进样腔由机械手臂进行传送样；(分子束外延在正文或附件中)

研究团队计划在2023年完成购置一套多气体高辉度单色化紫外光源用于更换现有角分辨光电子能谱上的不稳定...(分子束外延在正文或附件中)

分子束外延（MBE）是当今样品制备方法中对样品生长与品质可控性最为精确的生长技术是制备高质量具有原子...(分子束外延在正文或附件中)

此设备的购置将使我们对制备拓扑量子芯片的材料和分子束外延工艺进行大胆的尝试。可以大大提高研究效率避免...(分子束外延在正文或附件中)

该系统主要用于高质量硅、锗材料的外延生长需要满足以下条件：1、系统背景真空度可到达10e-11mba...(分子束外延在正文或附件中)

1、主要功能和目标：本课题原计划购置专门用于生长高迁移率IV-VI族半导体纳米线的分子束外延设备以供...(分子束外延在正文或附件中)

该系统主要用于对硅、锗量子材料表面介电层材料的生长需要满足以下生长条件：1、(分子束外延在正文或附件中)

拟采购原位Mask器件级图案化分子束外延设备1台具二维材料制备功能（可制备石墨烯、硒化物等多种新颖的...(分子束外延在正文或附件中)

采购数量：1台。满足要求：真空度：好于5*10^-10(分子束外延在正文或附件中)

分子束外延设备（MBE设备）用于高质量半导体材料生长需要配置常用的分子束源炉包括但不仅限于Ga、Al...(分子束外延在正文或附件中)

8英寸硅锗分子束外延设备项目所在采购意向：zycgr******2022年12月政府采购意向采购单...(分子束外延在正文或附件中)

拟采购氧化物分子束外延薄膜制备系统1套技术参数需求：真空系统：由前级泵和分子泵组成生长腔体本底真空度(分子束外延在正文或附件中)

拟采购氧化物分子束外延薄膜制备系统一套主要技术参数：真空系统：由前级泵和分子泵组成生长腔体本底真空度(分子束外延在正文或附件中)

　　教育部申请清华大学氧化物分子束外延薄膜制备系统 采购项目采用单一来源方式采购，项目预算金额...(分子束外延在正文或附件中)

适用于8英寸的分子束外延系统要求有真空互联接口。(分子束外延在正文或附件中)