采购电镀机一台。要求该设备可用于6英寸、8英寸的晶圆电镀适合进行深宽比20：1最小孔径5μm的TSV...(8英寸在正文或附件中)

（1）拟采购方式：上大迅采(8英寸在正文或附件中)

拟采购晶圆键合设备1台用于对不小于8英寸的晶圆进行wafer-to-wafer键合。(8英寸在正文或附件中)

拟采购晶圆键合设备1台用于对不小于8英寸的晶圆进行wafer-to-wafer键合。(8英寸在正文或附件中)

拟采购激光钻孔设备1台用于对8英寸及以下玻璃晶圆进行激光诱导成型深宽比不低于50：1可根据用户需求提...(8英寸在正文或附件中)

拟采购电子电镀机1套用于不小于8英寸晶圆的水平电镀在硅、玻璃等晶圆基底上生长Cu、Ni等金属。(8英寸在正文或附件中)

拟采购机械减薄设备1台用于对不小于8英寸的晶圆进行研磨减薄适应于硅、玻璃、石英、等基材。(8英寸在正文或附件中)

拟采购1台纳米压印系统压印系统平台实现不小于8英寸基板的纳米压印压印模式需包含真空气压、锟压两种模式...(8英寸在正文或附件中)

拟采购1台纳米压印系统压印系统平台实现不小于8英寸基板的纳米压印压印模式需包含真空气压、锟压两种模式...(8英寸在正文或附件中)

功能要求：适用于4英寸、6英寸和8英寸晶圆物理单片清洗可完成正面、背面和边缘的清洗。需要采用Nano(8英寸在正文或附件中)

键合机主要用于裸芯片或微型电子组件的贴装将芯片安装到引线框架、热沉、基板或直接安装到PCB板上以此来...(8英寸在正文或附件中)

深硅刻蚀设备是MEMS领域关键设备与传统集成电路刻蚀设备对线宽要求不同其要求更高的刻蚀速率、更好的刻...(8英寸在正文或附件中)

等离子增强型化学气相沉积成膜仪1台能提供从数十纳米至数微米的稳定氧化物或氮化物成膜能力并且可以对衬底...(8英寸在正文或附件中)

薄膜等离子快速消除机1台用于纳米至微米级的薄膜表面上指定区域深度的可控刻蚀能够在薄膜表面形成纳微米级...(8英寸在正文或附件中)

能够实现8英寸基底的薄膜沉积能制备厚度差异在±5%（8英寸）的硫系化合物、氧化物等材料的薄膜沉积。配...(8英寸在正文或附件中)

用于制备封装所需的各种材料如金属、氧化物和氮化物等材料。这些材料可用于制备封装层、保护层、反射镜、阻...(8英寸在正文或附件中)

主要技术指标（1）样品在各工艺环节间可实现非接触式连续传送（2）可在不破空条件下的完成靶材更换（3）...(8英寸在正文或附件中)

（1）拟采购方式：上大迅采(8英寸在正文或附件中)

拟采购4套相同型号的快速热处理系统其能够快速升温的加热设备可广泛应用于：接触退火注入退火快速热氧化快...(8英寸在正文或附件中)

拟采购三套8英寸半自动探针台该设备由半自动探针台、高精度探针座、高精度三轴探针臂、超细低漏电探针等组...(8英寸在正文或附件中)

该设备具有基于主流操作系统的图形化控制软件、稳定可靠的三轴式晶圆契形误差补偿系统等具备手动对准模式晶...(8英寸在正文或附件中)

（1）拟采购方式：上大迅采(8英寸在正文或附件中)

（1）拟采购方式：上大迅采(8英寸在正文或附件中)

包含真空反应室、等离子体系统、气路输送系统、排气系统、温度控制系统等；最大支持8英寸晶圆向下兼容；R...(8英寸在正文或附件中)

实现10MHz-260GHz的宽频带在片测试。 1.配8英寸以上样品台 2.样品台XY轴移动行程8英...(8英寸在正文或附件中)

为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2...(8英寸在正文或附件中)

包含真空反应室、等离子体系统、气路输送系统、排气系统、温度控制系统等；最大支持8英寸晶圆向下兼容；R...(8英寸在正文或附件中)

采购250支8英寸光电倍增管安装于PandaX探测器所在的水池中用于中子以及缪子反符合降低暗物质及中...(8英寸在正文或附件中)

采用大功率射频源实现碳化硅基片及外延层的电感耦合反应离子干法刻蚀配置电感耦合射频源和半自动装片系统。...(8英寸在正文或附件中)

面向8英寸及以下晶圆衬底需求的高精度半自动涂胶、涂底、显影及热板烘烤功能。至少配置一个高精度涂胶机、...(8英寸在正文或附件中)