北京氮化硅招标预告

申请购置的低压化学气相沉积设备将用于硅基薄膜材料的生长沉积和退火等工艺包括氮化硅、氧化硅、碳化硅材料...(氮化硅在正文或附件中)

1、兼容样品尺寸4*4cm产能20-30片/管(氮化硅在正文或附件中)

采购数量：1套性能要求：1、支持标准6英寸晶圆曝光及晶圆键合对准。2、曝光分辨率：≤1μm。3、曝光...(氮化硅在正文或附件中)

扫描电镜具有高真空工作模式。(氮化硅在正文或附件中)

采购数量：1套支持标准6英寸晶圆键合支持键合工艺种类：阳极键合、金属共晶键合、金属热压键合最大键合压...(氮化硅在正文或附件中)

碳基栅叠层项目是为推动碳基芯片的发展而设立氧化硅和氮化硅薄膜是碳基器件测墙薄膜主要组成等离子增强化学...(氮化硅在正文或附件中)

拟购置的“八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备”主要用于环栅纳米GAA等型结构器件关键集成工艺的研...(氮化硅在正文或附件中)

该设备主要用于项目后段金属互连中介质通孔的刻蚀。项目进行工艺验证的后段晶圆为铜制程铜在介质中具有非常...(氮化硅在正文或附件中)

设备主要用于低传输损耗低应力掺杂二氧化硅材料、氮化硅、氮氧化硅材料的刻蚀工艺可用于光分路器芯片、波分...(氮化硅在正文或附件中)

设备主要用于低传输损耗低应力掺杂二氧化硅材料、氮化硅、氮氧化硅材料的制备工艺可用于光分路器芯片、波分...(氮化硅在正文或附件中)

该设备不仅可以制作高质量的二氧化硅薄膜同样可以制作氮化硅氮氧化硅等薄膜(氮化硅在正文或附件中)

氮化硅LPCVD设备是完成异质、异构光电子集成工艺探索与芯片加工制造的重要设备。LPCVD设备主要由...(氮化硅在正文或附件中)

中低温二氧化硅、氮化硅沉积8英寸向下兼容；片内均匀性＜±2%；片内均匀性＜±3%(氮化硅在正文或附件中)

能够进行二氧化硅、氮化硅沉积；片内均匀性＜±2%；片间均匀性＜±3%；可沉积最大8英寸基片。(氮化硅在正文或附件中)

反应离子刻蚀SiN和SiO28英寸晶圆目标线宽130nm片内均匀性小于2%。(氮化硅在正文或附件中)

主要适用于氮化硅衬底的刻蚀加工工艺被广泛应用于制造微纳结构器件光学器件等等是研究微纳光子学和片上光电...(氮化硅在正文或附件中)

1.(氮化硅在正文或附件中)

系统组成：1套LPCVD组成每套4根炉管共计8根；(氮化硅在正文或附件中)

用于低温下氧化硅、氮化硅的快速沉积(氮化硅在正文或附件中)

1.(氮化硅在正文或附件中)

12英寸高温退火设备是完成异质、异构光电子集成工艺探索与芯片加工制造的重要设备。12英寸高温退火设备...(氮化硅在正文或附件中)

包含显微镜2台、台阶仪2台、等离子增强化学气相沉积1台、磁控溅射镀膜机1台和电子束蒸发台2台要求交货...(氮化硅在正文或附件中)

晶圆尺寸：6英寸向下兼容；氮化硅膜厚均匀性（片内）：≤3%；氮化硅膜厚均匀性（片间）：≤5%；残余应...(氮化硅在正文或附件中)

本项目采购的椭偏仪主要是作为微纳加工与量子器件研制平台中测试表征设备群的共用光学物性表征设备。在量子...(氮化硅在正文或附件中)

该化学气相沉积系统可采用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜可应用...(氮化硅在正文或附件中)

快速热退火系统是一种小型的能够快速升温的加热设备可广泛应用于：接触退火注入退火RTO(氮化硅在正文或附件中)

用于在晶圆上沉积氧化硅、氮化硅等介质薄膜。(氮化硅在正文或附件中)

1.设备需满足如下三种主要工艺需求：a.可用于SU8等有机胶体材料的去胶工艺b.可用于晶圆上材料表面...(氮化硅在正文或附件中)

全自动量产型干法刻蚀设备（1套）将用于基于12英寸大晶圆的硅光工艺加工通过利用电感耦合等离子体源创建...(氮化硅在正文或附件中)

主要用于中8英寸及以下基片上的多种薄膜材料沉积包括：二氧化硅SiO2、氮化硅Si3N4、氮氧化硅（S...(氮化硅在正文或附件中)