北京沉积设备招标预告

采购需求概况应当包括：1.采购标的名称：原子层沉积设备(沉积设备在正文或附件中)

申请购置的低压化学气相沉积设备将用于硅基薄膜材料的生长沉积和退火等工艺包括氮化硅、氧化硅、碳化硅材料...(沉积设备在正文或附件中)

采购等离子体超高真空高温原子层沉积设备1台用于实现超薄二维原子晶体材料大尺寸、大晶粒、原子层可控制备...(沉积设备在正文或附件中)

薄膜沉积设备（PECVD）是一种化学气相沉积设备采用等离子体处理的方式将反应性气体激活经过化学反应沉...(沉积设备在正文或附件中)

沉积管：直径(沉积设备在正文或附件中)

用于采购用于薄膜沉积设备的超高纯靶材以及真空零部件耗材包括钴铁硼靶材氧化镁靶材Irmn靶材等。(沉积设备在正文或附件中)

reel-to-reel离子束辅助沉积设备通过离子碰撞让晶体择优取向来获得双轴织构氧化物薄膜形成最初...(沉积设备在正文或附件中)

原子层沉积系统在厚度、成分、结构等沉积参数方面高度可控可用于12英寸基片的图形侧壁沉积工艺(沉积设备在正文或附件中)

(沉积设备在正文或附件中)

1、ICP、空心阴极、介质阻挡、微放电模拟；2、等离子体刻蚀设备中等离子体特性、中性气体特性和刻蚀轮...(沉积设备在正文或附件中)

原子层沉积设备以单原子膜形式逐层镀在基底表面与普通的化学沉积有相似之处但在原子层沉积过程中新一层原子...(沉积设备在正文或附件中)

衬底尺寸和类型:6英寸/单片3D(沉积设备在正文或附件中)

采购数量1该设备主要用于和现有分子束外延系统集成在SiGe材料上原位氧化或生长氧化物介电材料实现高质...(沉积设备在正文或附件中)

现阶段普遍认为二维材料和量子点是制作光电突触的最佳材料光电突触的性能对材料的缺陷很敏感高一致性制备量...(沉积设备在正文或附件中)

不少于5路工艺气体管路包括CF4(沉积设备在正文或附件中)

紧凑型多功能介质薄膜快速沉积设备主要用来沉积各种半导体光电子芯片和光子集成芯片所需的各种介质膜用于制...(沉积设备在正文或附件中)

不少于5路工艺气体管路包括CF4(沉积设备在正文或附件中)

科研(沉积设备在正文或附件中)

该设备需配备加热装置和膜厚测量装置并可实现基片进样抽真空预溅射工艺溅射溅射完成后基片取样传递至进样室...(沉积设备在正文或附件中)

该设备主要用于在掩模图形周围保形生长一层5nm以内的保护层提高掩模的使用寿命。(沉积设备在正文或附件中)

包含一台高真空金属镀膜仪和一台高真空有机镀膜仪用于元器件构筑；极限压力：4.0×10-3(沉积设备在正文或附件中)

采购高密度等离子体化学气相沉积设备1台面向高密度器件研发需要同时引入多层互连沉积的薄膜可以满足后段互...(沉积设备在正文或附件中)

采购八英寸晶圆级二维材料金属有机化学气相沉积设备1台具备绝缘衬底上（蓝宝石、二氧化硅）生长(沉积设备在正文或附件中)

具备绝缘衬底上（蓝宝石、二氧化硅）生长8英寸晶圆级新型半导体材料（主要是过渡金属硫化物）及其异质结的...(沉积设备在正文或附件中)

拟购置的“八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备”主要用于环栅纳米GAA等型结构器件关键集成工艺的研...(沉积设备在正文或附件中)

金属有机化学气相沉积设备可实现材料各功能层的集成外延同时易于实现变组分、多元有源材料生长使器件的优越...(沉积设备在正文或附件中)

薄膜沉积设备是一种应用广泛的薄膜沉积技术属于化学气相沉积中的一种是指采用等离子体处理的方式将反应性气...(沉积设备在正文或附件中)

薄膜沉积设备是一种应用广泛的薄膜沉积技术属于化学气相沉积中的一种是指采用等离子体处理的方式将反应性气...(沉积设备在正文或附件中)

新采购1台12英寸晶圆级等离子体增强化学气相沉积设备适用12英寸晶圆中以硅、碳、氮/氧为主体的薄膜沉...(沉积设备在正文或附件中)

能够进行二氧化硅、氮化硅沉积；片内均匀性＜±2%；片间均匀性＜±3%；可沉积最大8英寸基片。(沉积设备在正文或附件中)