北京激光直写招标预告

用于加工实验所需的光纤光栅及在可加工材料基底上实现三维结构的精确加工定制可加工载体材料：固体材料液态...(激光直写在正文或附件中)

完成实验平台相关的复杂核心部件的高精度成型加工包括能够兼容不同非金属和金属材料进行表面和内部微腔等的...(激光直写在正文或附件中)

　　教育部申请北京大学激光直写光刻系统 采购项目采用单一来源方式采购，项目预算金额 470....(激光直写在正文或附件中)

采购两项：（1）非掩膜微纳光刻机（2）电子掩膜设计软件具体参数如下：（1）非掩膜微纳光刻机(激光直写在正文或附件中)

预采购飞秒直写工作站一台290fs(激光直写在正文或附件中)

针对生物微流控芯片、柔性电子、智能材料等领域的纳米三维复杂结构加工制造需求采购双光子纳米打印机可实现...(激光直写在正文或附件中)

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曝光波长：385(激光直写在正文或附件中)

用于支撑校内纳米器件加工及验证方面的课题研究。为了增强半导体器件和集成电路实现的基础工艺能快速实现器...(激光直写在正文或附件中)

激光直写光刻设备能够实现投影光刻物理掩模的制备精度较高能够避免多套掩模之间的套刻对准环节。特征尺寸：...(激光直写在正文或附件中)

板级金属化设备用于板级表面种子层溅射；硅桥埋入基板技术要实现高带宽硅桥扇出互连孔径将由现有基板60u...(激光直写在正文或附件中)

1.采购项目名称：无掩膜激光直写系统2.采购项目数量：1套3.采购项目需实现的主要功能或者目标：能够...(激光直写在正文或附件中)

数量：1套。可实现365nm和405nm(激光直写在正文或附件中)

拟采购一台激光直写曝光机实现亚微米尺度曝光(激光直写在正文或附件中)

（1）极限最小特征尺寸=<0.6μm；（2）普通工艺条件的特征尺寸不低于1μm；（3）线宽均匀...(激光直写在正文或附件中)

最小曝光线宽0.3um8寸向下兼容(激光直写在正文或附件中)

1.采购项目名称：无掩膜激光直写系统2.采购项目数量：1套3.无掩膜直写光刻系统要求能够满足实验室规...(激光直写在正文或附件中)

飞秒激光微纳加工系统具有加工速度快、精度高（微纳级别）、可实现三维结构加工等优势在光电材料体系中具有...(激光直写在正文或附件中)

热扫描探针及激光直写光刻机1台主要技术参数(激光直写在正文或附件中)

了测试硅锗异质结基片的迁移率我们需要在基片表面制作hallbar结构由于hallbar结构较大对电极...(激光直写在正文或附件中)

该设备主要用于实现硅基半导体量子芯片引线电极的图形化生成需要达到以下条件：1、最佳图形生成分辨率达到...(激光直写在正文或附件中)

无需刚性掩膜制备、体积小、且操作便捷。(激光直写在正文或附件中)

采购标的名称：无掩模光刻系统主要功能：用于激光直写式的无掩模光刻工艺。适用于快速曝光、复杂图形曝光、...(激光直写在正文或附件中)

采用无掩模激光直写方式工作；最大曝光面积：195mm(激光直写在正文或附件中)

了保障科研任务的顺利推进该公共平台需具备微纳加工、器件制备、物性表征等服务支撑功能。器件制备通常需要...(激光直写在正文或附件中)

（1）支持最大样品尺寸为230mm(激光直写在正文或附件中)

激光直写机项目所在采购意向：zycgr******2022年12月政府采购意向采购单位：zycgr...(激光直写在正文或附件中)

拟采购激光直写设备1套技术参数需求：硬件部分：激光器：能量300mW(激光直写在正文或附件中)

（一）采购标的名称：规模化集成电路无掩模激光直写系统（二）采购标需实现的主要功能或者目标具备无掩模光...(激光直写在正文或附件中)

激光直写设备1台主要功能为通过无掩模光刻的方式在铬片掩膜版（MASK）、陶瓷基片以及硅片上进行无掩膜...(激光直写在正文或附件中)